|
Стр. 14
основные свойства применяемых материалов, составов и способы
приготовления флюса; режимы алюминирования; правила регулирования
температуры нагревателя; сроки хранения готовой продукции.
Примеры работ:
1. Выводы миниатюрных приборов стержневой конструкции на
полуавтомате - лужение.
2. Выводы готовых герконов - лужение.
3. Выводы и детали генераторов СВЧ - лужение.
4. Детали и узлы - лужение припоями редких металлов индия и
галлия.
5. Детали керамические сложной конфигурации с канавками -
лужение.
6. Диоды, микросхемы, микросборки, триоды - лужение выводов.
7. Индикатор цифровой, тиристоры - лужение выводов.
8. Конденсаторы оксидно-полупроводниковые - лужение корпусов.
9. Кристаллодержатель - лужение.
10. Микросборки, перемычки из бронзы - лужение выводов
перемычек.
11. Микросхемы интегральные гибридные типа "Посол" - лужение
проводников и контактных площадок.
12. Микроплаты для микромодулей - лужение пазов.
13. Основания - лужение с четко заданными геометрическими
размерами припоя.
14. Пары контактные диаметром до 1,5 мм - лужение.
15. Платы, основания - лужение штырей на автоматах и
полуавтоматах.
16. Платы радиоаппаратуры - лужение отверстий.
17. Платы печатные сложного рисунка - лужение проводящего
рисунка вручную методом окунания на центрифуге.
18. Платы печатного монтажа - лужение контактов в электрованне.
19. Пластины кремния - лужение непланарной стороны.
20. Проволока медная - лужение серебросодержащим припоем на
полуавтоматической установке.
21. Проволока для изготовления микромодулей специального
назначения - лужение.
22. Пружина контактная - алюминирование горячим способом,
методом окунания.
з 9. Оператор вакуумно-напылительных процессов
2-й разряд
Характеристика работ. Напыление однослойных пленок металлов и
стекол на вакуумных и плазменных установках. Установка подложек и
масок без точного совмещения экранов и испарителей в рабочую
камеру установки. Загрузка навесок испаряемых металлов и стекол на
испарители различных конструкций. Замеры толщины в процессе
напыления, контроль сплошности и адгезии.
Должен знать: назначение, устройство и правила эксплуатации
обслуживаемых установок; назначение и принцип работы применяемых
контрольно-измерительных приборов, правила пользования и обращения
с ними; назначение процесса откачки; способы и методы контроля
степени вакуума; режимы испарения и осаждения распыляемого
материала.
з 10. Оператор вакуумно-напылительных процессов
3-й разряд
Характеристика работ. Напыление многослойных пленочных
микросхем на вакуумных и плазменных установках. Установка
подложек, масок, экранов и испарителей в рабочую камеру вакуумной
установки. Загрузка навесок испаряемых материалов (золото,
алюминий, нихром и др.) на испарители различных конструкций.
Замена мишеней на установках магнетронного напыления. Контроль
электрических параметров процесса напыления; определение качества
напыляемых слоев и толщины полученных пленок с помощью микроскопа.
Должен знать: устройство, принцип действия и способы подналадки
обслуживаемого оборудования; устройство универсальных и
специальных приспособлений, контрольно-измерительных приборов;
назначение процесса откачки; режимы испарения и осаждения
распыляемого материала; способы и методы контроля степени вакуума;
основные свойства и характеристики испаряемых материалов; основные
законы электротехники и вакуумной техники.
Примеры работ
1. Кристаллические элементы кварцевых резонаторов - напыление.
2. Приборы квантовые - напыление трехслойных зеркал.
3. Подложки, пленки, ситалловые спутники - напыление алюминия,
золота, нихрома, индия, ванадия, никеля, молибдена с контролем
качества и толщины напыленного слоя.
4. Резисторы - напыление на ситалловую подложку через маску.
з 11. Оператор вакуумно-напылительных процессов
4-й разряд
Характеристика работ. Напыление одного и нескольких слоев
металлов на пластины, а также пленки на вакуумных установках с
термическим распылением. Обслуживание вакуумных установок
различных типов, в том числе с магнетронным способом напыления.
Определение неисправностей в работе установок и принятие мер по их
устранению. Корректировка режимов напыления по результатам
контрольного процесса. Регистрация и поддержание режимов осаждения
с помощью контрольно-измерительной аппаратуры. Определение
качества напыленных слоев и толщины полученных пленок с помощью
микроскопа.
Должен знать: устройство вакуумных установок различных моделей;
кинематику, электрические и вакуумные схемы; правила наладки и
проверки на точность обслуживаемого оборудования; устройство,
назначение и условия применения контрольно-измерительных
инструментов и приборов; конструкцию универсальных и специальных
приспособлений; способы отыскания течей; основные свойства пленок,
используемых для получения токоведущих, резистивных и изоляционных
элементов микросхем; основы физического процесса получения тонких
пленок; основные виды брака и причины его возникновения.
Примеры работ
1. Конденсаторы тонкопленочные - напыление меди, нихрома,
многоокиси кремния.
2. Микросхемы (с малой степенью интеграции), ВЧ транзисторы -
напыление на пластину алюминия, золота, нихрома, молибдена,
систем: молибден-алюминий, титан-алюминий, вольфрам-алюминий,
вольфрам-алюминий-вольфрам.
3. Микроструктуры многослойные пленочные - получение методом
напыления в вакууме с контролем качества и толщины пленок.
4. Пластины с заданным рельефом - получение методом
термического испарения трехслойного выпрямляющего контакта.
5. Платы анодные для люминесцентных индикаторов - напыление
нескольких слоев металла (хром, никель, медь).
6. Пленки (триацетатные, ПЭТФ) - напыление алюминия.
7. Приборы квантовые - напыление пятислойных зеркал.
8. Фотошаблоны металлизированные - напыление хрома.
з 12. Оператор вакуумно-напылительных процессов
5-й разряд
Характеристика работ. Напыление различными способами
(термическое испарение, катодное распыление, электронно-лучевое и
магнетронное напыление) однослойных и многослойных пленочных
микроструктур для изделий с субмикронными размерами или с
повышенной степенью интеграции с выбором оптимальных режимов
напыления в пределах допусков, указанных в технологической
документации. Обслуживание установок с программным управлением.
Наблюдение за режимами процесса. Работа с измерительной
аппаратурой с целью регистрации и поддержания режимов осаждения
пленок. Сравнительный контроль качества просветляющих пленок по
эталону.
Должен знать: электрические и вакуумные схемы, способы проверки
на точность различных моделей вакуумных напылительных установок;
конструкцию обслуживаемого оборудования; правила определения
режимов работы оборудования для получения металлических,
резистивных пленок; правила настройки и регулирования контрольно-
измерительных инструментов и приборов; электрофизические свойства
взаимодействия полупроводник - металл, металл - металл; основы
электротехники и порядок работы вакуумной техники.
Требуется среднее профессиональное образование.
Примеры работ
1. Диски для видиконов - двух-, трехслойное напыление.
2. Линзы из стекла К-8 оптической толщины лямбда/4 - нанесение
одного слоя MgFe2 (просветление).
3. МДП-структуры - изготовление молибденового затвора.
4. Пластины C ч As - напыление Ag с подслоем Cr.
5. Пластины стеклянные - напыление маскирующих, кварцевых
покрытий.
6. Пластины полупроводниковые (диодные матрицы, СВЧ -
транзисторы, БИС, СБИС, ЗУ, стабилитроны) - одно- или двухслойное
напыление различными способами.
7. Пленка полистирольная или стирофлексная, конденсаторная
бумага - напыление различных металлов на вакуумной установке.
8. Пленки полупроводниковые и контактные площадки - напыление
на монокристаллические подложки германия, кремния, арсенида
галлия.
9. Подложки кварцевые - нанесение 15 слоев равной оптической
толщины лямбда/4 (зеркало с коэффициентом отражения 99%).
10. Приборы квантовые - напыление семи-, одиннадцатислойных
зеркал.
з 13. Оператор вакуумно-напылительных процессов
6-й разряд
Характеристика работ. Напыление металлических, резистивных и
диэлектрических пленок на установках различных типов.
Самостоятельный выбор способа нанесения пленок (термическое
осаждение в вакууме, катодное распыление, осаждение из газовой
фазы, электронно-лучевое и магнетронное напыление и т.д.).
Отработка режимов напыления.
Должен знать: конструкцию, способы и правила проверки на
точность различных типов оборудования для напыления микропленочных
структур; методы определения способа нанесения пленок и
последовательности процесса; правила определения режимов получения
пленочных микроструктур; методы контроля параметров пленок; физику
процесса получения пленочных микроструктур различными способами.
Требуется среднее профессиональное образование.
Примеры работ
1. Микросхемы пленочные, полупроводниковые приборы -
изготовление опытных образцов на установках различных типов с
двухслойной или многослойной металлизацией.
2. Пластины кремния различных типов - сплавление с
одновременным нанесением алюминия.
3. Пластины со структурами - многослойное напыление на
установках различных типов.
4. Покрытия оптические - просветление трехслойное
двухстороннее.
5. Фильтры интерференционные - нанесение двух двенадцатислойных
зеркал с промежуточным слоем лямбда/2.
з 14. Оператор вакуумно-напылительных процессов
7-й разряд
Характеристика работ. Напыление металлических и окисных
покрытий с заданной оптической плотностью и дефектностью.
Напыление тугоплавких металлов с образованием силицидов.
Составление программ проведения процесса напыления с
использованием ЭВМ. Замер поверхностного сопротивления силицидов и
пленок металла. Определение отражающей способности пленки и
коэффициента запыления рельефа пленкой. Отработка режимов
напыления пленки с получением указанных параметров (толщина,
состав, коэффициенты запыления и отражения), настройка и
калибровка по эталонам приборов для измерения заданных параметров.
Сборка и разборка внутрикамерного устройства установок и их
чистка. Отыскание течей вакуумных систем и принятие мер по их
ликвидации. Оценка качества высокого вакуума.
Должен знать: устройство и принцип работы обслуживаемого
оборудования; принцип работы откачных средств и способы измерения
вакуума; наладку и настройку контрольно-измерительных приборов;
способы получения проводящих, резистивных, барьерных,
диэлектрических слоев и диодов Шоттки; влияние режимов напыления
на электрофизические свойства пленок.
Требуется среднее профессиональное образование.
з 15. Оператор диффузионных процессов
2-й разряд
Характеристика работ. Ведение процессов диффузии примесей
(бора, фосфора) в кремний и создание защитных покрытий химико-
термическим методом (под руководством рабочего высшей
квалификации). Окисление пластин кремния в потоке газов и паров
воды. Загрузка и выгрузка пластин кремния. Измерение температуры
рабочей зоны установки и наблюдение за другими режимами с помощью
контрольно-измерительных приборов и термопар. Изготовление шлифов
на пластинах кремния и определение по ним глубины диффузии.
Вжигание металлизированных контактов (алюминий, золото) в кремний.
Взвешивание диффузанта и его загрузка.
Должен знать: наименование, назначение важнейших частей и
принцип действия установок для проведения процессов окисления;
назначение и условия применения контрольно-измерительных приборов,
ротаметров, контактных термометров; методы определения толщины
окислов по интерференционным полосам в сравнении с таблицей;
основные свойства полупроводниковых материалов (германий, кремний)
и материалов, применяемых для легирования (бор, фосфор и их
соединения); основы теории получения р-п переходов (диодов и
триодов); принцип действия установок измерения удельного
сопротивления четырехзондовым методом.
Примеры работ
1. Пластины кремния, германия - термообработка перед
фотолитографией.
2. Пленки окисные - получение методом контролируемого
низкотемпературного окисления моносилана кислородом в среде
инертного газа.
3. Подложки - насыщение бором.
з 16. Оператор диффузионных процессов
3-й разряд
Характеристика работ. Ведение процессов окисления, диффузии
примесей в один из видов полупроводникового материала на
налаженном оборудовании определенного типа. Измерение толщины
окисла и дрейфовой области кремниевых пластин. Изготовление косых
и сферических шлифов, выявление переходов, измерение глубины р-п
перехода поверхностного сопротивления и концентрации примесей.
Контроль режима диффузионного процесса. Загрузка и выгрузка
пластин с помощью автоматического загрузчика. Контроль качества
пластин после диффузии и окисления. Комплектация (формирование)
партий эпитаксиальных структур.
Должен знать: устройство и способы подналадки обслуживаемых
оборудования и установок; методы измерения температуры в рабочей
зоне установки; степени осушки газа; свойства газов, применяемых
материалов; основные законы электротехники и вакуумной техники в
пределах выполняемых работ; влияние различных факторов на
параметры диффузионных слоев; устройство приборов для контроля
процесса; методы измерения поверхностного сопротивления; методы
контроля толщины дрейфовой области.
Примеры работ
1. Диффузия золота.
2. Стекло боросиликатное - диффузия бора.
3. Стекла растворимые - диффузия сурьмы.
4. Структуры кремниевые - геттерирование с помощью пленки SiO2
с одновременной диффузией никеля.
з 17. Оператор диффузионных процессов
4-й разряд
Характеристика работ. Окисление и диффузия примесей в германий,
кремний и арсенид галлия с применением твердых, жидких и
газообразных диффузантов. Отжиг ионно-легированных слоев. Ведение
процесса дрейфа ионов лития в пластины кремния. Одновременное
проведение двух процессов окисления или диффузии. Дозирование
легирующих элементов. Подготовка газораспределительного пульта к
работе. Сборка и наладка отдельных узлов газовой системы
(определение точки росы и содержания кислорода в технологических
газах). Наблюдение за температурой и другими режимами и
регулирование их. Определение неисправностей в работе
оборудования. Измерение электрических параметров р-п переходов,
резисторов и характеристик микросхем.
Должен знать: устройство установок с высокочастотным нагревом,
установок дрейфа, водородной, вакуумной и силитовых печей;
устройство, назначение и условия применения контрольно-
измерительных приборов (термопар, гальванометров, осциллографов,
вакуумметров и др.); методы измерения температурного профиля
диффузионной печи; основные свойства полупроводниковых материалов
(германий, арсенид галлия, кремний); свойства газов (водород,
азот, кислород); основные свойства диффузантов; режимы процесса;
способы и методы контроля; элементарный расчет параметров
диффузионных слоев; основные свойства оксидных пленок, р-п, п-п
переходов; методы их получения и контроля.
Примеры работ
1. Диффузия мышьяка, сурьмы.
2. Диффузия фосфора из треххлористого фосфора, оксихлорена и из
легированных пленок.
3. Диффузия бора из нитрида бора и трибромида бора.
4. Диффузия бора и золота, фосфора и золота (одновременное
проведение процесса).
5. Кремний - окисление в парах HCl.
6. Пластины кремния - термическое окисление в печах типа СДО
125/3-12.
з 18. Оператор диффузионных процессов
5-й разряд
Характеристика работ. Ведение сложных процессов диффузии и
окисления в диффузионных печах различных типов (в том числе с
программным управлением) с применением твердых, жидких и
газообразных диффузантов. Составление программ проведения
процесса. Введение легирующих присадок в кремний, германий,
арсенид галлия. Обслуживание печей непрерывного действия,
водородной, вакуумной установок. Измерение электропараметров БИС,
СБИС и транзисторных структур. Проведение элементарного расчета
параметров диффузионных слоев. Анализ экспериментальных данных по
результатам измерений параметров диффузионных слоев, окисных
пленок. Контроль и корректировка режимов технологических процессов
диффузии, окисления, отжига ионно-легированных слоев. Сборка,
вакуумирование и отпайка кварцевых ампул с мышьяком, сурьмой,
бором и их соединениями в качестве лигатуры. Сборка газовой
системы и проверка ее герметичности. Определение неисправностей в
работе оборудования и их устранение.
Должен знать: электрические и газовые схемы обслуживаемого
оборудования, правила его наладки на заданный режим; правила
настройки и регулирования приборов для контроля процесса;
очистительную систему для газов, поступающих в установку; правила
определения режимов работы; влияние характеристик диффузионных
слоев на параметры получаемых приборов.
Требуется среднее профессиональное образование.
Примеры работ
1. Диффузия цинка в парах мышьяка или фосфора в тройные
соединения.
2. Пластины кремния - диффузия бора, фосфора, мышьяка в печах с
программным управлением типа СДО-125/3-15.
3. Пластины кремния - окисление при повышенном давлении;
создание скрытых слоев; легирование сурьмой и мышьяком в печах с
программным управлением.
4. Пластины кремния - создание подзатворного диэлектрика и
контроль его параметров.
з 19. Оператор диффузионных процессов
6-й разряд
Характеристика работ. Ведение сложных процессов диффузии,
окисления с применением твердых, жидких и газообразных
диффузантов. Обслуживание печей и установок любого типа, в т.ч. и
с программным управлением. Обработка экспериментальных данных,
построение графиков, таблиц по статистическим данным. Проведение
расчета концентрационного профиля, поверхностной концентрации,
типа проводимости слоев. Самостоятельное задание режимов,
самостоятельная работа на полярископе и лазерном элипсометре,
определение плотности поверхностных состояний по вольт-емкостным
характеристикам при изготовлении канальных БИС. Расчет и
экспериментальное определение профиля распределения примеси.
Работы на автоматических диффузионных установках - налаживание,
корректировка режимов в процессе работы и контроль.
Должен знать: конструкцию, способы и правила проверки на
точность оборудования и устройств различных типов для проведения
процесса диффузии; теорию процессов диффузии и окисления; влияние
различных параметров на характеристики диффузионных слоев; способы
и методы определения годности переходов; физико-химические
свойства применяемых материалов; расчеты, связанные с проведением
процессов диффузии.
Требуется среднее профессиональное образование.
з 20. Оператор диффузионных процессов
7-й разряд
Характеристика работ. Ведение сложных высокотемпературных
процессов диффузии на оборудовании и оборудовании с
микропроцессорным программным управлением с применением различных
типов диффузантов. Ведение процесса окисления кремниевых пластин
пирогенным способом. Расчет необходимых пропорций кислорода и
водорода в их смеси. Одновременное проведение трех процессов
окисления или диффузии. Выбор способа формирования диэлектрика в
зависимости от назначения и требований нему. Получение р-п
переходов и контроль их вольт-амперных характеристик на измерителе
Л2-56. Сбор и обработка информации с помощью компьютера. Анализ
причин возникновения брака на операциях высокотемпературных
обработок и принятие мер по его устранению.
Должен знать: устройство и принцип работы обслуживаемого
оборудования; назначение и условия применения контрольно-
измерительного оборудования (спектрофотометры MPVSD, "Suzfscan",
ЛЭФ-3М); назначение окисных пленок и диффузионных слоев и
требования к ним; факторы, определяющие скорость роста окислов;
механизмы диффузии в полупроводниках; виды брака на
термодиффузионных операциях, причины его возникновения и способы
устранения; способы получения р-п переходов и методы определения
их годности.
Требуется среднее профессиональное образование.
Примеры работ
1. Изолирующий окисел - пирогенное окисление.
2. Диффузия фосфора в поликремний - легирование затвора.
з 21. Оператор по наращиванию эпитаксиальных слоев
3-й разряд
Характеристика работ. Ведение процесса наращивания
эпитаксиальных, поликристаллических, диэлектрических,
металлических слоев с определенными параметрами на установках
эпитаксиального наращивания. Подготовка оборудования к работе,
проверка оборудования на герметичность, загрузка и разгрузка
подложек. Контроль и корректировка режима процесса наращивания.
Проверка качества применяемых подложек, материалов. Ведение
процесса газового травления. Замер температуры оптическим
пирометром. Заправка испарителей SiCl4. Снятие и установка
кварцевой оснастки на оборудовании различных типов. Проведение
профилактики газовой системы. Замена баллонов.
Должен знать: устройство важнейших частей, принцип действия
установок эпитаксиального наращивания и контрольно-измерительных
приборов; свойства химикатов, применяемых для наращивания
эпитаксиальных, поликристаллических, диэлектрических и
металлических слоев; реакции, происходящие на поверхности подложки
в процессе наращивания; влияние примесей на качество
эпитаксиальных, поликристаллических, диэлектрических и
металлических слоев; способы градуирования ротаметров; методы
измерения и регулирования температуры процесса наращивания
испарителей, охлаждения реактора; правила работы с баллонами,
магистральными газами и газовыми смесями.
Примеры работ
Эпитаксиальные, поликристаллические, диэлектрические,
металлические слои - наращивание однослойных структур.
з 22. Оператор по наращиванию эпитаксиальных слоев
4-й разряд
Характеристика работ. Ведение процесса наращивания
эпитаксиальных, поликристаллических, диэлектрических и
металлических слоев всех типов. Корректировка процесса наращивания
по результатам контрольного процесса. Расчет скорости наращивания
эпитаксиальных, поликристаллических, диэлектрических и
металлических слоев. Расчет концентрации легирующей примеси.
Карбидизация графитовых нагревателей (пьедесталов). Приготовление
растворов SiCl4 с определенной концентрацией легирующей примеси.
Определение неисправностей в установках.
Должен знать: устройство и способы подналадки оборудования
различных типов; методы наращивания эпитаксиальных,
поликристаллических, диэлектрических, металлических слоев и их
свойства; свойства полупроводниковых материалов; свойства газов;
методы измерения основных электрофизических и структурных
параметров эпитаксиальных, поликристаллических, диэлектрических и
металлических структур; устройство, назначение и условия
применения приборов для контроля процесса, системы
газораспределения и водяного охлаждения; влияние концентрации
легирующей примеси на параметры эпитаксиальных структур,
поликристаллических, диэлектрических и металлических слоев; основы
электротехники в пределах выполняемой работы.
Примеры работ
Эпитаксиальные, поликристаллические, диэлектрические и
металлические слои - наращивание структур со скрытыми слоями.
з 23. Оператор по наращиванию эпитаксиальных слоев
5-й разряд
Характеристика работ. Ведение процессов наращивания
многослойных эпитаксиальных структур, диэлектрических слоев.
Наращивание сверхтонких поликристаллических, диэлектрических,
металлических слоев. Устранение разброса параметров слоев
различными методами. Замена стаканов и настройка индукторов по
температурному режиму на установках, использующих ВЧ-нагрев.
Настройка температурного режима процесса на установках,
использующих инфракрасные и другие виды нагрева. Задание режимов
на электронной системе управления технологическим процессом.
Должен знать: электрическую и газовую схему обслуживаемого
оборудования, способы ее проверки, основные неисправности и методы
их устранения; режимы и правила проведения процессов для получения
сложных и многослойных эпитаксиальных структур,
поликристаллических, диэлектрических, металлических слоев; правила
настройки и регулировки приборов для контроля процесса, основы
теории процесса эпитаксиального наращивания; правила работы с
электронной системой управления технологическим процессом.
Требуется среднее профессиональное образование.
Примеры работ
1. Структуры многослойные эпитаксиальные - наращивание с
заданными параметрами.
2. Структура многослойная диэлектрик-полупроводник -
наращивание.
3. Слои тонкие эпитаксиальные - наращивание.
з 24. Оператор по наращиванию эпитаксиальных слоев
6-й разряд
Характеристика работ. Самостоятельное ведение процессов
получения эпитаксиальных, диэлектрических, поликристаллических и
металлических слоев любого назначения на оборудовании различных
типов. Проведение процессов, стимулированных плазмой, и процессов
с использованием газообразных, жидкостных и твердых источников.
Проведение экспериментальных и опытных работ по наращиванию слоев.
Самостоятельная корректировка режимов в процессе работы. Расчет
концентрации легирующей примеси, расчет скорости потоков паров и
газов, температурных режимов. Задание и корректировка режимов на
электронной системе управления технологическим процессом.
Должен знать: конструкцию, способы и правила наладки различных
типов оборудования; правила работы с электронной системой
управления технологическим процессом; методы прецизионной
обработки полупроводниковых материалов; методы расчета
концентрации легирующей примеси; особенности процессов диффузии и
наращивания эпитаксиальных, поликристаллических, диэлектрических и
металлических слоев; конструкцию полупроводниковых приборов и
твердых схем на основе эпитаксиальных структур; основы теории
полупроводников; физические и химические основы технологических
процессов наращивания.
Требуется среднее профессиональное образование.
Примеры работ
1. Многослойные эпитаксиальные структуры - наращивание с
различными заданными параметрами.
2. Локальная эпитаксия - наращивание.
з 25. Оператор плазмохимических процессов
4-й разряд
Характеристика работ. Ведение процесса травления
полупроводниковых материалов, снятия фоторезиста, высаживания
двуокиси кремния на различных типах плазмохимического
оборудования. Ионно-плазменное нанесение пленок Fe2O3. Загрузка и
выгрузка пластин кремния, стеклопластик, жидкокристаллических
индикаторов. Определение неисправностей в работе установок и
принятие мер по их устранению. Корректировка режимов
плазмохимической обработки по контрольным измерениям. Регистрация
и поддержание режимов плазмохимической обработки с помощью
контрольно-измерительной аппаратуры. Контроль толщины нанесенной
пленки, замер линейных размеров элементов микросхем с помощью
микроскопа. Определение качества обработки пластин с помощью
микроскопа и измерительных приборов.
Должен знать: устройство плазмохимических установок различных
моделей, принцип их действия; кинематику, электрические и
вакуумные схемы; правила настройки на точность обслуживаемого
оборудования, устройство, назначение и применение контрольно-
измерительных приборов и инструментов; назначение процесса откачки
и роль плазмообразующих сред в процессе обработки пластин; способы
и методы контроля степени вакуума; основные свойства и
характеристики плазмообразующих сред; основы процесса
плазмохимического травления; оценку стойкости фоторезистивных
масок к воздействию газоразрядной плазмы; основные законы
электротехники и вакуумной техники.
Примеры работ
1. Кремниевые пластины - плазмохимическое высаживание SiO2
путем разложения и взаимодействия моносилана с кислородом в плазме
высокочастотного разряда, определение толщины пленки SiO2 после
нанесения по таблицам цветности.
2. Мезо-структуры с фоторезистом - ионно-плазменное напыление
диэлектрических пленок.
3. Пластины - удаление фоторезиста на плазмохимических
установках.
4. Пластины кремния - плазмохимическое травление двуокиси
кремния, лежащего на алюминии.
5. Стеклопластины - ионно-плазменное нанесение Fe2O3.
Индикаторы жидкокристаллические - удаление полиамида на
плазмохимических установках.
з 26. Оператор плазмохимических процессов
5-й разряд
Характеристика работ. Ведение процесса плазмохимической очистки
пластин и материалов, нанесение двуокисных пленок на различных
типах плазмохимического оборудования. Нанесение антиэмиссионных и
эмиссионных покрытий ионно-плазменным или плазмо-дуговым методом.
Напыление молибдена, алюминия ионно-плазменным методом. Подготовка
и настройка оборудования на заданный режим работы. Согласование
нагрузок генератора высокой частоты. Выявление причин
неисправностей в вакуумных системах. Выявление причин отклонения
скорости плазмохимической обработки от заданной и их устранение.
Корректировка режимов проведения процесса по результатам
контрольных измерений. Контроль толщины микрослоев после обработки
на микроинтерферометрах различных типов.
Должен знать: системы подачи и натекания газов; основные
процессы, происходящие при диссоциации в плазме молекул химически
активных рабочих газов; основы плазмохимического осаждения;
свойства пленок, подвергающихся плазмохимической обработке;
физические и химические основы технологических процессов в плазме;
методы определения глубины травления; методы определения толщины
окислов; устройство и настройку интерферометров.
Примеры работ
1. Пластины кремниевые - ионно-плазменное напыление молибдена,
алюминия с добавками меди и кремния; травление, высаживание пленки
SiO2 плазмохимическим методом, замер величины заряда, пробивного
напряжения на ПНХТ, контроль толщины пленки на интерферометре,
контроль качества поверхности на микроскопе.
2. Пластины ситалловые - плазмохимическое осаждение пленки
нитрида бора.
3. Пленки нитрида бора - плазмохимическое травление.
4. Фотошаблоны и пластины кремния - ионно-плазменное и
плазмохимическое травление.
з 27. Оператор плазмохимических процессов
6-й разряд
Характеристика работ. Проведение процессов плазмохимической
очистки, травления полупроводниковых материалов, металлов,
металлических систем с использованием реагентов различных видов с
заданной избирательностью травления. Определение скорости
плазмохимического травления материалов. Самостоятельный подбор
режимов очистки, травления, различных видов пленок в процессе
фотолитографии в различных плазмообразующих средах. Отработка
режимов плазмохимической обработки пластин с заданной точностью и
соотношением скоростей травления. Оценка влияния плазменных
обработок на параметры полупроводниковых приборов.
Должен знать: конструкцию вакуумных и газовых систем;
устройство и принцип работы ионных источников, плазмотронов и
реакционно-разрядных камер, методы их настройки и регулировки;
теорию плазмохимических процессов осаждения пленок, по обработке и
травлению поверхности полупроводниковых пластин и материалов;
влияние качества обработки поверхности на характеристики
полупроводниковых приборов; правила определения режима работы
плазмохимического оборудования различных типов для получения
заданных параметров пленок; основы теории плазмохимической
обработки.
Требуется среднее профессиональное образование.
Примеры работ
Кремниевые пластины - плазмохимическое травление Si3N4, Al2O3,
ванадия.
з 28. Оператор плазмохимических процессов
7-й разряд
Характеристика работ. Проведение процессов плазмохимической
очистки и травления полупроводниковых материалов на
экспериментальном и опытном оборудовании. Проведение
многостадийных процессов травления. Плазмохимическое травление
многослойных структур. Анизатропное травление поликремния. Сборка
и разборка внутрикамерного устройства и его чистка. Отыскание
течей вакуумных систем и принятие мер к их устранению.
Должен знать: конструкцию экспериментального и опытного
оборудования для проведения плазмохимических процессов; правила
ведения плазмохимического травления многослойных структур и
ведения многостадийных процессов; методы отыскания течей в
вакуумных системах и способы их устранения и предупреждения.
Требуется среднее профессиональное образование.
Примеры работ
1. Кремниевые пластины - плазмохимическое травление AL/SL;
ASI/TIW.
2. Кремниевые пластины - плазмохимическое травление ФСС, БФСС,
SiO2 селективно к SI, ПКК при формировании контактов.
з 29. Оператор микросварки
4-й разряд
Характеристика работ. Ведение процесса разварки внутренних
межсоединений на установках с ручным совмещением инструмента под
микроскопом. Установка и закрепление на рабочем столике арматуры,
полупроводниковых приборов, кассет с загруженными приборами для
разварки. Термокомпрессирование выводов к триодам, диодам, твердым
схемам с контактными площадками на установках термокомпрессии.
Разводка и сварка под микроскопом выводов триодов и диодных блоков
сложных микросхем. Промывка, зачистка, прочистка сварочного
инструмента. Заправка проволоки в сварочный инструмент. Замер
диаметра "шарика", высоты петли с помощью оптических приборов.
Должен знать: устройство, принцип действия и правила работы на
установках микросварки и термокомпрессии; основные сведения по
сварке, виды и назначение свариваемых соединений; технические
требования, предъявляемые к узлам и деталям, подлежащим сварке;
основы электро- и радиотехники.
Примеры работ
1. ГИМ СВЧ - сварка соединений между контактными площадками на
платах, сварка экранов.
2. Индикаторы цифро-знаковые (твердые схемы) - сборка методом
термокомпрессии с большим числом выводов на установках типа ЭМ-
439; "Контакт-3А".
3. Микросборки тонкопленочные - сварка соединений между
выводами навесных элементов и контактными площадками плат; сварка
соединений между платой и корпусом.
4. Приборы полупроводниковые - сварка соединений между
контактными площадками кристалла и траверсами рамки выводной на
автоматах монтажа проволочных выводов.
з 30. Оператор микросварки
5-й разряд
Характеристика работ. Ведение процесса разварки внутренних
межсоединений на установках микросварки с ручным совмещением
инструмента под микроскопом, а также на полуавтоматических,
автоматических установках с программным управлением. Разводка и
сварка в труднодоступных местах выводов триодов и диодных блоков в
сложных и опытных микросхемах. Прочистка сварочного инструмента.
Корректировка технологических режимов и программ. Проверка
качества сварного соединения. Оценка качества разварки.
Должен знать: устройство и правила работы на установках
микросварки; методы получения контактов и их особенности; правила
подборки режимов сварки для различных изделий; виды возникающего
из операции брака и способы его предупреждения; требования,
предъявляемые к применяемым материалам.
Требуется среднее профессиональное образование.
Примеры работ
1. ГИМ СВЧ - приварка золотой проволоки к контактным площадкам
плат на установке ЭМ-429М.
2. Приборы полупроводниковые, микросхемы, диодные матрицы -
приварка выводов к контактным площадкам кристалла и корпуса.
3. Транзисторы, транзисторные матрицы - присоединение
внутренних выводов.
з 31. Оператор микросварки
6-й разряд
Характеристика работ. Ведение процесса микросварки на
установках с программным управлением. Обслуживание 2-х или более
установок микросварки. Разварка внутренних межсоединений микросхем
высокой степени интеграции на установках микросварки с ручным
совмещением инструмента под микроскопом. Юстировка электронно-
оптической системы. Отработка режимов сварки новых типов изделий.
Программирование координат топологии развариваемой схемы на
установках с программным управлением.
Должен знать: принцип работы установки микросварки; способы
проверки работы установки на типовых промышленных приборах;
юстировку электронной схемы; особенности работы установок с
программным управлением; назначение и правила пользования
контрольно-измерительными приборами; физико-химические свойства
применяемых материалов.
Требуется среднее профессиональное образование.
Примеры работ
БИС, СБИС - разварка межсоединений.
з 32. Оператор термосоединений
3-й разряд
Характеристика работ. Ведение процесса пайки различных деталей
и узлов полупроводниковых приборов в атмосфере водорода, азота, а
также в окислительной среде. Обслуживание водородных печей
(колпаковых, конвейерных, толкательных и др.). Контроль режима
пайки и других термических режимов (обжига, отжига и т.д.).
Регулирование температуры, газовых режимов и скорости конвейерной
ленты в печах. Отжиг деталей в водородных печах.
Должен знать: правила работы на обслуживаемом оборудовании,
способы подналадки; основные законы электротехники и вакуумной
техники в пределах выполняемых работ; процесс контроля степени
осушки газов; требования, предъявляемые к качеству выпускаемой
продукции.
Примеры работ
1. Арматура - пайка в водородной печи.
2. Диоды - герметизация в печи.
3. Изоляторы - пайка в медный фланец высокотемпературным
припоем.
4. Изоляторы - пайка медных выводов в коваровую трубку.
5. Кристаллы, кристаллодержатель - припаивание к ножке.
6. Основания для микросхем - склеивание в печах в водородной и
азотной среде.
7. Переходы - напайка на держатель.
8. Приборы полупроводниковые - вплавление электродов коллектора
и эммитера; приплавление выводов коллектора и эммитера;
приплавление кристаллов; вжигание никеля; пайка деталей и узлов
полупроводниковых приборов с применением мягких и твердых припоев
в атмосфере водорода на конвейерных и в колпаковых печах.
9. Штыри, выводы, основания, детали - отжиг.
з 33. Оператор термосоединений
4-й разряд
Характеристика работ. Проведение процессов пайки.
|
