|
Стр. 8
связи с этим необходимо обеспечить устойчивый высокоскоростной
доступ к сетевым ресурсам на всей территории страны.
Беспроводной мультимедийный доступ к ресурсам обучения
целесообразно развивать путем существенного снижения стоимости
персональных мобильных компьютеров с целью максимального
приближения их цены к покупательной способности населения
Российской Федерации.
Решить эту задачу можно только путем организации массового
производства комплектующих для выпуска указанных устройств и
оборудования на территории Российской Федерации, причем основным
подходом к решению данной задачи должно быть резкое сокращение
количества комплектующих в персональных и мобильных вычислительных
устройствах за счет применения "систем на кристалле". Кроме того,
необходимо организовать на территории России массовое производство
дешевых жидкокристаллических и других мониторов (например, на базе
дешевой технологии полимерных дисплеев).
Общий объем рынка мультимедийных устройств для системы
образования при условии снижения их стоимости до 1 - 1,5 тыс.
рублей может достичь 5 млн. единиц в год, то есть 3,6 - 7 млрд.
рублей в год. Стоимость электронной компонентной базы в составе
таких изделий составляет не менее 70 процентов, поэтому совокупный
объем продаж электронной компонентной базы в этом сегменте рынка
может составить 2,6 - 5,2 млрд. рублей.
Электроника и доступное жилье
В ближайшей перспективе планируется значительное сокращение
расходов на эксплуатацию и энергообеспечение жилья за счет
внедрения энергосберегающих технологий. Большое значение при этом
имеет широкое внедрение солнечной энергетики, высокоэффективных
твердотельных источников света и систем интеллектуального
управления объектами в жилых помещениях, оптимизирующих
энергопотребление и обеспечивающих постоянный мониторинг всех
объектов управления, находящихся в помещении ("интеллектуальный
дом").
Необходимо также решить вопросы, связанные с обеспечением
коммунальной инфраструктуры строящегося и модернизируемого
жилищного фонда, повышением качества и совершенствованием учета
объема коммунальных услуг (водоснабжение, электроснабжение,
теплоснабжение).
Модернизации с применением электронных технологий должны
подвергнуться около 20 млн. единиц жилищного фонда страны за 10
лет. При среднем уровне затрат на модернизацию не менее 1,5 тыс.
рублей на типовое электронное устройство общий объем этого
сегмента рынка может составить 30 млрд. рублей в год.
Электроника и сельское хозяйство
В области сельского хозяйства электронные технологии должны
использоваться для создания производственной основы модернизации
сельскохозяйственного машиностроения (включая транспортную
составляющую, технологическое оборудование для животноводства и
первичной переработки продукции, новую инженерно-техническую базу
отрасли), беспроводных сенсорных сетей на основе интеллектуальных
датчиков, контролирующих состояние почвы, растительных культур,
режим питания и перемещение скота в животноводстве.
Применение указанных технологий в сельском хозяйстве обеспечит
рациональное использование удобрений, снижение падежа скота и
птицы, а также своевременное предупреждение о распространении
среди животных опасных для человека эпидемий.
Данный сегмент рынка оценивается в объеме около 12 - 15 млрд.
рублей в год.
Другие сегменты рынка электронной компонентной базы
(промышленная электроника, энергетическое оборудование, связь,
космическая техника, автомобильная электроника, системы
безопасности, бытовая техника, торговое оборудование и др.) могут
также существенно увеличить загрузку электронных производств.
Таким образом, в России существует реальная, подкрепленная
гарантированным рынком государственных закупок, возможность
создания современного производства электронной компонентной базы с
общим объемом сбыта в размере 90 - 120 млрд. рублей в год.
Подпрограмма направлена на приоритетное развитие основных
базовых электронных технологий, обеспечивающих укрепление
научно-производственной базы российской электроники, ускоренное
развитие автоматизированных систем проектирования электронной
компонентной базы и реализацию основных структурных элементов
интегрированной многоуровневой системы разработки сложной
радиоэлектронной аппаратуры и стратегически важных систем на базе
библиотек стандартных элементов, сложнофункциональных блоков,
специализированных больших интегральных схем "система на
кристалле", прикладного и системного программного обеспечения.
Срок реализации подпрограммы обусловлен необходимостью ее
согласования с основными действующими и разрабатываемыми
программами социально-экономического развития, а также с
реализацией в рамках одной программы крупных инвестиционных
проектов, определяющих выполнение государственных заданий по
социально-экономическому развитию. Подпрограмма является
обеспечивающей по отношению к федеральной целевой программе
"Национальная технологическая база" на 2007 - 2011 годы.
Подпрограмма подготовлена и будет реализовываться на основе
следующих принципов:
комплексность решения наиболее актуальных проблем
научно-технического и технологического развития разработки и
производства электронной компонентной базы;
сосредоточение основных усилий на развитии критических
технологий, разработке и организации выпуска новых серий
электронной компонентной базы, имеющих межотраслевое значение для
повышения технологического уровня и конкурентоспособности
российской продукции;
адресность инвестиций в отношении проектов, реализуемых в
рамках подпрограммы, в сочетании с возможностью маневра бюджетными
средствами и их концентрацией на приоритетных направлениях для
обеспечения наибольшей эффективности реализуемых мероприятий;
обеспечение эффективного управления реализацией подпрограммы и
контроля за целевым использованием выделенных средств;
создание условий для продуктивного сотрудничества государства
и частного бизнеса, основанных на сочетании экономических
интересов и соблюдении взаимных обязательств.
II. Основные цель и задачи подпрограммы, срок и этапы
ее реализации, а также целевые индикаторы и показатели
Целью подпрограммы является развитие национального
научно-технологического и производственного базиса по разработке и
выпуску конкурентоспособной наукоемкой электронной компонентной
базы для решения приоритетных задач социально-экономического
развития и обеспечения национальной безопасности Российской
Федерации.
Задачи подпрограммы:
разработка базовых технологий и базовых конструкций
электронных компонентов и приборов (сверхвысокочастотная
электроника, радиационно стойкая электронная компонентная база,
микросистемная техника, микроэлектроника, силовая электроника,
пассивные элементы, электронные материалы);
опережающее развитие систем автоматизированного проектирования
сложных электронных компонентов и систем для достижения мирового
уровня;
техническое перевооружение российской электронной
промышленности на основе передовых технологий и расширение
производства электронной компонентной базы для обеспечения
внутреннего рынка и увеличения экспорта наукоемкой продукции;
создание научно-технического задела по перспективным
технологиям и конструкциям электронных компонентов и процессов
проектирования перспективных видов электронной компонентной базы и
аппаратуры;
активизация процессов коммерциализации новых технологий
электронной компонентной базы;
обеспечение российских разработок радиоэлектронных средств и
стратегически значимых систем российской электронной компонентной
базой высокого качества.
В результате реализации подпрограммы предполагается создание
современной технологической базы и модернизация промышленного
производства электронной компонентной базы, необходимых для
разработки и производства высокотехнологичной наукоемкой продукции
мирового уровня в области важнейших технических систем (воздушный,
морской и наземный транспорт, ракетно-космическая техника,
машиностроительное и энергетическое оборудование, вычислительная
техника, системы управления, связи и информатики), медицинской
техники, образования, экологического контроля и обеспечивающих
технологические аспекты национальной безопасности государства,
решение задачи удвоения к 2010 году национального валового
продукта, расширение возможностей для равноправного международного
сотрудничества в сфере высоких технологий.
Осуществление мероприятий подпрограммы позволит на макроуровне:
увеличить объем продаж российской электронной компонентной
базы на внутреннем и внешнем рынках;
значительно сократить технологическое отставание российской
электронной промышленности от мирового уровня;
обеспечить большие возможности для развития всех отраслей
промышленности;
создать условия для более эффективной реализации национальных
проектов;
создать ориентированную на рынок инфраструктуру электронной
промышленности (системоориентированные центры проектирования,
дизайн-центры, специализированные производства по заказу,
научно-технологический центр по микросистемотехнике);
активизировать инновационную деятельность и ускорить внедрение
результатов научно-технической деятельности в массовое
производство;
обеспечить возможность создания вооружения, военной и
специальной техники нового поколения, что повысит
обороноспособность и безопасность государства.
Реализация подпрограммы позволит на микроуровне:
обеспечить обновляемость основных фондов организаций
электронной промышленности и стимулировать создание современного
высокотехнологичного производства;
создать крупные и эффективные диверсифицированные структуры
(холдинги, концерны), способные конкурировать с лучшими
иностранными фирмами, работающими в области электроники;
организовать производство массовой интеллектуально насыщенной
и конкурентоспособной высокотехнологичной радиоэлектронной
продукции, разнообразных современных телекоммуникационных услуг,
включая радио и телевидение.
В социально-экономической сфере:
повысится качество жизни населения благодаря
интеллектуализации среды обитания и расширению возможности
использования электроники и информационных систем;
увеличится число рабочих мест в электронной отрасли, снизится
отток талантливой части научно-технических кадров, повысится спрос
на квалифицированные научно-технические кадры, будет обеспечено
привлечение молодых специалистов и ученых и улучшится возрастная
структура кадров;
улучшится экологическая ситуация за счет разработки
экологически чистых технологий получения и обработки электронных
материалов, развития новых электронных производств с повышенными
требованиями к нейтрализации и утилизации вредных веществ и
отходов, создания новых поколений датчиков, сенсоров и приборов
контроля вредных и опасных веществ, введения автоматизированных
систем контроля и раннего предупреждения техногенных катастроф и
аварий.
В бюджетной сфере будет обеспечено увеличение базы
налогообложения за счет значительного повышения объема продаж
изделий электронной промышленности.
Подпрограмму предполагается выполнить в соответствии с
федеральной целевой программой "Национальная технологическая база"
на 2007 - 2011 годы в два этапа:
I этап - 2007 - 2009 годы;
II этап - 2008 - 2011 годы.
Индикаторы и показатели реализации подпрограммы
В качестве основного показателя успешной реализации
подпрограммы принимается увеличение объемов продаж электронной
продукции.
В 2005 году общий объем реализованной продукции предприятий
электронной промышленности составил 13 млрд. рублей. Ожидается,
что в 2011 году аналогичный показатель составит около 45 млрд.
рублей. Темпы роста объемов производства будут сопоставимы с
мировыми показателями и соответствовать задаче новой экономической
доктрины России по увеличению внутреннего валового продукта.
Индикатором реализации подпрограммы является технологический
уровень освоенных в производстве сверхбольших интегральных схем
(оценка проводится по величине минимального размера элемента).
Ожидается, что в 2009 году организациями электронной
промышленности будет освоен технологический уровень в 0,13 мкм,
что обеспечит создание производственно-технологической базы для
выпуска необходимой электронной компонентной базы, соответствующей
потребностям российских потребителей. Значения индикатора и
показателей реализации мероприятий подпрограммы приведены в
приложении N 1.
III. Перечень мероприятий подпрограммы
Мероприятия подпрограммы приведены в приложении N 2 и
структурированы по следующим важнейшим направлениям развития
электронной компонентной базы:
сверхвысокочастотная электроника (сверхвысокочастотные
транзисторы и твердотельные микросхемы);
радиационно стойкая электронная компонентная база;
микросистемная техника;
микроэлектроника;
электронные материалы и структуры;
группы пассивной электронной компонентной базы
(радиоэлектронные компоненты и приборы опто- и фотоэлектроники,
пьезо- и магнитоэлектроники, квантовой электроники, а также
установочные изделия);
обеспечивающие работы (комплекс научно-исследовательских и
опытно-конструкторских работ по управлению подпрограммой, анализу
выполненных работ, оптимизации состава выполняемых работ,
проведению конкурсного отбора, а также по разработке и реализации
информационно-аналитической системы обеспечения
программно-целевого подхода к развитию электронной техники, по
созданию и внедрению комплекса стандартов надежности и качества
электронной компонентной базы, экологической безопасности).
В рамках направления 1 "Сверхвысокочастотная электроника"
предусмотрено выполнение комплекса мероприятий подпрограммы в
следующих целях:
разработка базовых технологий производства мощных кремниевых
сверхвысокочастотных транзисторов L и S частотных диапазонов для
систем радиолокации с использованием активных фазированных
антенных решеток и систем связи;
развитие технологий сверхвысокочастотных транзисторов и
монолитных сверхвысокочастотных микросхем на гетероструктурах и
широкозонных полупроводниках и организация их опытного
производства;
организация опытно-технологической производственной линии
изготовления сверхвысокочастотных транзисторов частотного
диапазона до 150 ГГц для перспективных систем связи и локации;
разработка базовой технологии, базовых конструкций и
организация выпуска новых типов магнитоэлектрических
сверхвысокочастотных приборов;
разработка систем автоматизированного проектирования
сверхвысокочастотных приборов, монолитных сверхвысокочастотных
микросхем, сверхширокополосных твердотельных мощных
сверхвысокочастотных модулей, приемо-передающих модулей на основе
унифицированного конструктивно-технологического базиса и библиотек
стандартных элементов.
Указанное направление определяет весь комплекс работ,
выполнение которых обеспечит создание к 2012 году серийных
образцов активных антенных фазированных решеток для радиолокаторов
наземного, корабельного, воздушного и космического базирования для
перспективных средств противоздушной обороны, воздушной и
космической разведки, управления и связи, а также создание
производственных мощностей для серийного производства специальной
сверхвысокочастотной электронной компонентной базы и
приемо-передающих модулей.
Сверхвысокочастотная электронная компонентная база
востребована в аппаратуре сотовых (спутниковых, воздушных и
наземных носителей) интерактивных телекоммуникаций в сантиметровом
и миллиметровом диапазонах длин волн, на основе которых создаются
принципиально новые стратегические системы передачи информации и
управления. Роль этих систем будет настолько велика, что
блокирование их деятельности или несанкционированный доступ
приведет к ущербу в государственном масштабе, который сегодня вряд
ли можно оценить. Поэтому аппаратура сотовых интерактивных
телекоммуникаций должна и может создаваться только на
отечественной твердотельной сверхвысокочастотной электронной
компонентной базе.
Массовое применение сверхвысокочастотной электронной
компонентной базы возможно и в гражданской сфере: в цифровом
телевидении, в домашней и учрежденческой беспроводной
информационно-управляющей сети, в автомобильных радарах для
автоматической парковки, предупреждения столкновений и
автопилотирования.
Подпрограмма предусматривает мероприятия по разработке:
технологии производства мощных транзисторов и монолитных
сверхвысокочастотных микросхем на основе гетероструктур материалов
группы А3В5, объемных приемо-передающих сверхвысокочастотных
субмодулей X диапазона;
базовой технологии производства мощных полупроводниковых
приборов и монолитных интегральных систем сверхвысокочастотного
диапазона на основе нитридных гетероэпитаксиальных структур;
базовой технологии производства сверхвысокочастотных
интегральных схем высокой степени интеграции на основе
гетероструктур "кремний-германий";
базовой технологии изготовления сверхвысокочастотных
транзисторов и интегральных схем на широкозонных материалах;
базовых конструкций и технологии производства корпусов мощных
сверхвысокочастотных транзисторов X, C, S, L и P диапазонов из
малотоксичных материалов с высокой теплопроводностью;
базовых технологий производства и конструктивного ряда
суперлинейных кремниевых сверхвысокочастотных транзисторов S и L
диапазонов;
технологии измерений и базовых конструкций установок
автоматизированного измерения параметров нелинейных моделей
сверхвысокочастотных полупроводниковых структур, мощных
транзисторов и монолитных интегральных систем X, C, S, L и P
диапазонов для их массового производства;
базовых технологий для создания нового поколения мощных
вакуумно-твердотельных малогабаритных модулей с улучшенными
массогабаритными и спектральными характеристиками для
перспективных радиоэлектронных систем двойного применения;
технологии изготовления сверхбыстродействующих приборов (до
150 ГГц) на наногетероструктурах с квантовыми дефектами;
базовой технологии портативных фазированных блоков аппаратуры
миллиметрового диапазона длин волн на основе магнитоэлектронных,
твердотельных (GaAs) и высокоскоростных цифровых приборов и
устройств с функциями адаптации и цифрового диаграммообразования.
Дальнейшее расширение сверхвысокочастотного диапазона связано
с созданием в стране электронной компонентной базы с рабочими
частотами 40 ГГц и более. Перспективными материалами для таких
электронных компонентных баз являются широкозонные полупроводники
(нитрид галлия и карбид кремния) для мощных сверхвысокочастотных
полупроводниковых приборов и кремний-германий для монолитных
интегральных схем. Работы с этими материалами за рубежом активно
развиваются последние 3 - 5 лет. В России их использование
сдерживается недостаточным объемом работ по созданию и
совершенствованию технологии производства как самих материалов,
так и электронной компонентной базы на их основе.
В рамках направления 2 "Радиационно стойкая электронная
компонентная база" предусмотрено выполнение комплексных
мероприятий подпрограммы в целях создания:
базовых технологий изготовления радиационно стойких
специализированных больших интегральных схем уровней 0,5 - 0,35
мкм на структурах "кремний на сапфире";
технологии проектирования и изготовления серий логических и
аналоговых радиационно стойких приборов на базе структуры "кремний
на изоляторе" с проектными нормами до 0,25 - 0,18 мкм;
базовых технологий радиационно стойких специализированных
больших интегральных схем энергонезависимой памяти;
технологии структуры "кремний на сапфире" для
лицензионно-независимых специализированных цифровых сверхбольших
интегральных схем, микроконтроллеров и схем интерфейса;
технологии радиационно стойких силовых приборов.
Предполагается разработать принципиально новую технологию с
применением элементов памяти на основе фазовых структурных
переходов вещества, нечувствительных к воздействию практически
любых видов радиации и обеспечивающих создание универсального типа
памяти для всех встроенных применений в микроконтроллерах и
микропроцессорах. При этом резко сократится номенклатура
применяемых элементов. Кроме того, будут разработаны качественно
новые приборы на структурах ультратонкого кремния (32-разрядные
микропроцессоры, микроконтроллеры, умножители, базовые матричные
кристаллы до 200 тыс. вентилей, программируемые логические
интегральные схемы, функционально ориентированные процессоры,
аналоговые, аналого-цифровые и цифро-аналоговые специализированные
сверхбольшие интегральные схемы).
Необходимость выполнения работ обусловлена задачей сохранения
паритета с другими ядерными державами в области стратегических
ядерных сил. Аналогичные работы были выполнены в США в 2001 - 2005
годах в рамках Программы ускоренного развития субмикронной
радиационно стойкой электронной компонентной базы для нового
поколения стратегических ядерных сил. Нужно учитывать, что закупки
лицензий на эти технологии на мировом рынке невозможны из-за
ограничений, накладываемых международными соглашениями о
нераспространении ядерных технологий.
В рамках направления 3 "Микросистемная техника" предусмотрено
выполнение комплекса мероприятий в целях разработки:
базовой технологии прецизионного формирования
микроэлектромеханических трехмерных структур;
системы автоматизированного проектирования
микроэлектромеханических интегрированных систем, сенсоров
механических и электрических величин, гироскопов, прецизионных
акселерометров, включая создание специализированного центра
проектирования микроэлектромеханических систем на базе библиотек
стандартных элементов;
библиотеки стандартных элементов микроэлектромеханических
устройств с использованием пьезоэлектрических материалов и системы
автоматизированного проектирования фильтров, резонаторов,
пьезоактюаторов, пьезогироскопов, гидроакустических антенн и
других приборов.
Развертывание работ по указанному направлению обусловлено
необходимостью удовлетворения резко возросшего спроса на
микроэлектромеханические системы на внутреннем и мировом рынках.
Так, объемы мирового рынка в 2005 году составили 7,1 млрд.
долларов США. По прогнозу, рыночная потребность в 2010 году
простейших систем, разработка и производство которых под силу
большинству российских микроэлектронных производств, составит
более 850 млн. штук (более 30 млрд. рублей в год), что дает
возможность выхода российских производителей на мировой рынок.
Отставание России от передовых стран в области микросистемной
техники не так значительно в связи с тем, что конкретные
прикладные результаты в мировом масштабе были получены только в
90-е годы и технологические нормы для производства
микроэлектромеханических систем доступны большинству предприятий
отрасли.
В 2007 году планируется начать выполнение комплекса
научно-исследовательских и опытно-конструкторских работ по
разработке базовых технологий и базовых конструкций
микроакустоэлектромеханических, микроаналитических,
микрооптоэлектромеханических, радиочастотных
микроэлектромеханических систем и микросистем анализа магнитных
полей. В результате будут разработаны датчики физических величин,
в частности давления, температуры, деформации, крутящего момента,
микроперемещений, резонаторов и других, а также освоены базовые
технологии изготовления микросистем на основе процессов
формирования специальных слоистых структур, чувствительных к
газовым, химическим и биологическим компонентам внешней среды и
способных обнаруживать опасные, токсичные, горючие и взрывчатые
вещества.
Учитывая мультипликативный эффект развития микросистемной
техники для других отраслей промышленности, реализация этого
направления расширяет возможности автомобильного, авиационного и
ракетно-космического машиностроения, навигации, здравоохранения,
информационных, телекоммуникационных и военных технологий, что
позволит обеспечить реализацию национальных приоритетов
технологического развития и повысить экспортный потенциал России в
области высоких технологий.
В рамках направления 4 "Микроэлектроника" предусмотрено
выполнение комплекса мероприятий подпрограммы в целях:
разработки базовых технологий специализированных больших
интегральных схем, в том числе технологии комплементарных полевых
транзисторных структур уровня 0,25 - 0,13 мкм на пластинах
диаметром 200 мм с созданием опытного производства;
разработки технологии изготовления шаблонов с фазовым сдвигом
и коррекцией оптического эффекта близости для производства
специализированных сверхбольших интегральных схем и организации
межотраслевого центра проектирования, изготовления и каталогизации
шаблонов технологического уровня до 0,13 мкм;
ускоренного развития систем проектирования сложных
специализированных сверхбольших интегральных схем (включая схемы
"система на кристалле"), ориентированных на разработку
конкурентоспособных электронных систем мультимедиа,
телекоммуникаций, систем радиолокации, космического мониторинга,
цифровых систем обработки и передачи информации, цифрового
телевидения и радиовещания, систем управления технологическими
процессами и транспортом, систем безналичного расчета, научного
приборостроения и обучения, систем идентификации, сжатия и
кодирования информации, медицинской техники и экологического
контроля;
разработки новых поколений электронной компонентной базы, в
том числе функционально полной номенклатуры аналоговых и цифровых
больших интегральных схем для комплектации и модернизации
действующих радиоэлектронных систем и аппаратуры, включая задачи
импортозамещения;
разработки сложнофункциональных блоков для обработки, сжатия и
передачи информации, сигнальных и цифровых процессоров (в том
числе программируемых), микроконтроллеров, цифро-аналоговых и
аналого-цифровых преобразователей, шин и интерфейсов (драйверов,
приемопередатчиков), а также специализированных блоков для
телекоммуникации и связи;
разработки комплектов специализированных сверхбольших
интегральных схем "система на кристалле", имеющих до 10 - 50 млн.
транзисторов, для систем цифровой обработки сигналов (цифровое
телевидение, радиовещание, сотовая и радиотелефонная связь,
космический мониторинг, системы управления и контроля);
разработки приборов силовой электроники, включая базовую
технологию и конструкцию производства тиристоров и мощных
транзисторов, силовых ключей на токи до 1500 А и напряжение до
6500 В, а также базовую технологию производства и конструкцию
силовых микросхем, гибридных силовых приборов тиристорного типа,
высоковольтных драйверов управления и интеллектуальных силовых
модулей;
создания центров проектирования перспективной электронной
компонентной базы, в том числе промышленно ориентированных центров
проектирования и испытания электронной компонентной базы в составе
отраслевой многоуровневой системы проектирования сложной
электронной компонентной базы и аппаратуры (топологического и
схемотехнического уровней), системоориентированных базовых центров
сквозного проектирования радиоэлектронной аппаратуры на основе
функционально сложной электронной компонентной базы и
специализированных сверхбольших интегральных схем "система на
кристалле", а также развития системы проектирования сложной
радиоэлектронной аппаратуры и стратегически значимых систем,
учебных центров проектирования электронной компонентной базы для
решения задачи обучения и подготовки высококвалифицированных
специалистов.
Создаваемые центры проектирования должны освоить методы
проектирования специализированных сверхбольших интегральных схем с
технологическим уровнем до 0,09 мкм и систему заказов на
зарубежных специализированных производствах, действующих в мировой
системе разделения труда.
В рамках направления 5 "Электронные материалы и структуры"
мероприятия подпрограммы ориентированы в первую очередь на
создание технологий для освоения принципиально новых материалов
для современной электронной компонентной базы (структуры "кремний
на изоляторе", широкозонные полупроводниковые структуры и
гетероструктуры, структуры с квантовыми эффектами, композитные,
керамические и ленточные материалы, специальные органические
материалы). Среди новых разрабатываемых материалов наиболее
перспективными являются нитрид галлия, карбид кремния,
алмазоподобные пленки и другие.
Полупроводниковые материалы пользуются повышенным спросом как
на внутреннем, так и на внешнем рынках, что создает хорошие
перспективы для увеличения экспорта.
Предусмотрено выполнение комплекса мероприятий подпрограммы в
следующих целях:
разработка базовых технологий и организация производства, в
том числе кремниевых пластин диаметром 200 мм технологического
уровня 0,18 - 0,13 мкм, структур "кремний на изоляторе", "кремний
на сапфире" диаметром 150 мм и технологического уровня 0,5 - 0,35
мкм, пластин радиационно облученного кремния диаметром 150 мм для
приборов силовой электроники, гетероструктур диаметром 100 - 150
мм с квантовыми эффектами для сверхвысокочастотной твердотельной
электроники, высокоинтенсивных приборов светотехники, лазеров и
специальных матричных приемников, керамических материалов и плат,
материалов для пленочных технологий, композитов, клеев и
герметиков для выпуска новых классов радиоэлектронных компонентов
и приборов, корпусов и носителей, "бессвинцовых" сложных
композиций для экологически чистой сборки электронной компонентной
базы и монтажа в составе радиоэлектронной аппаратуры;
разработка экологически чистой технологии нанесения
гальванопокрытий с замкнутым циклом нейтрализации и утилизации,
высокоэффективных процессов формирования полимерных покрытий,
алмазоподобных пленок и наноструктурированных материалов,
процессов самоформирования пространственных структур, новых
классов сложных полупроводниковых материалов с большой шириной
запрещенной зоны для высоковольтной и высокотемпературной
электроники (карбид кремния, алмазоподобные материалы, сложные
нитридные соединения), новых классов полимерных пленочных
материалов, включая многослойные и металлизированные, а также для
задач политроники и сборочных процессов массового производства
электронной компонентной базы широкого потребления.
В рамках направления 6 "Группы пассивной электронной
компонентной базы" предусмотрено выполнение комплекса мероприятий
в следующих целях:
разработка технологий и базовых конструкций типового ряда
радиоэлектронных компонентов требуемой номенклатуры, в том числе:
магнитоуправляемых контактов, тиратронов и искровых
разрядников;
коммутационных и установочных изделий;
разработка технологий и базовых конструкций новых поколений, в
том числе:
новых классов и групп резисторов и конденсаторов с повышенными
техническими и эксплуатационными характеристиками, включая
развитие производственных мощностей по их выпуску;
сверхъярких высокоэкономичных светодиодов красного свечения
для "стоп-сигналов" транспортной техники;
высокоэффективных широкоспектральных твердотельных
осветительных приборов для бытовых и промышленных целей;
гибких экранов, информационных табло и сигнальных устройств на
полимерной основе, включая варианты "прозрачных" экранов;
светочувствительных твердотельных матричных приемников для
наблюдения в широком спектральном диапазоне с вариациями
освещенности;
рентгеночувствительных матричных приемников для медицинской
техники нового поколения;
приборов пьезотехники и акустоэлектроники для научной,
медицинской и связной аппаратуры;
приборов магнитоэлектроники для радиоэлектронной аппаратуры,
сверхвысокочастотной техники, диагностической и научной
аппаратуры;
фотоэлектронных умножителей широкого спектрального диапазона;
магнитоэлектрических приборов расширенного диапазона частот;
мощных технологических лазеров с полупроводниковой накачкой;
эксимерных лазеров для электронных технологий и медицины;
базовых модулей лазерных локаторов и лазерных комплексов.
Рыночная потребность в указанных видах электронной
компонентной базы достаточно высока, более того, большая часть
вновь разрабатываемых видов электронной компонентной базы и
изделий электронной техники (высокояркостные твердотельные
источники света и экраны, солнечные элементы и батареи, приборы
акустоэлектроники, магнито-, пьезоэлектроники) не только обладают
высокими потребительскими свойствами, но и дают значительный
экономический эффект за счет энергосбережения и интеграции
функций.
Для создания нового технического уровня резисторов планируются
работы по разработке технологии сверхпрецизионных резисторов,
используемых для аппаратуры двойного назначения, технологии особо
стабильных и особо точных резисторов широкого диапазона,
технологии интегрированных резистивных структур с повышенными
технико-эксплуатационными характеристиками на основе
микроструктурированных материалов и методов групповой сборки,
технологии нелинейных резисторов (варисторов, позисторов,
термисторов) в чип-исполнении, технологии автоматизированного
производства толстопленочных чип- и микрочип-резисторов.
Для создания новых классов конденсаторов будут проведены
работы по изготовлению танталовых оксидно-полупроводниковых и
оксидно-электролитических конденсаторов, разработке технологии
производства конденсаторов с органическим диэлектриком и
повышенными удельными характеристиками и организации производства
таких конденсаторов.
Для совершенствования качества и технических характеристик
коммутаторов и переключателей планируются работы по созданию
технологии базовых конструкций высоковольтных (быстродействующих,
мощных) вакуумных выключателей нового поколения, технологии
газонаполненных высоковольтных высокочастотных коммутирующих
устройств для токовой коммутации цепей с повышенными техническими
характеристиками, технологии изготовления малогабаритных
переключателей с повышенными сроками службы для печатного монтажа,
а также технологии серий герметизированных магнитоуправляемых
контактов и переключателей широкого частотного диапазона.
Для создания новых классов приборов акустоэлектроники и
пьезотехники планируется провести разработку прецизионных
температуростабильных высокочастотных (до 2 ГГц) резонаторов на
поверхностных акустических волнах, разработку ряда радиочастотных
пассивных и активных акустоэлектронных меток-транспондеров,
работающих в реальной помеховой обстановке, для систем
радиочастотной идентификации и систем управления доступом,
разработку базовой конструкции и промышленной технологии
производства пьезокерамических фильтров в корпусах для
поверхностного монтажа, разработку промышленной технологии
акустоэлектронной компонентной базы для задач мониторинга,
робототехники и контроля функционирования различных механизмов,
средств и систем, разработку базовой технологии производства
функциональных законченных устройств стабилизации, селекции
частоты и обработки сигналов, а также разработку технологии
изготовления высокочастотных резонаторов и фильтров на объемных
акустических волнах для телекоммуникационных и навигационных
систем.
Работы по приборам инфракрасной техники будут сконцентрированы
в области разработки:
технологии фоточувствительных приборов с матричными
приемниками высокого разрешения для аппаратуры контроля
изображений;
технологии унифицированных электронно-оптических
преобразователей, микроканальных пластин, пироэлектрических матриц
и камер на их основе с чувствительностью до 0,1 К и широкого
инфракрасного диапазона;
технологии создания интегрированных гибридных фотоэлектронных
высокочувствительных и высокоразрешающих приборов для задач
космического мониторинга и специальных систем наблюдения.
Для приборов квантовой электроники приоритетными будут работы
по созданию технологий:
мощных полупроводниковых лазерных диодов (непрерывного и
импульсного излучения) при снижении расходимости излучения в 5 раз
для создания аппаратуры и систем нового поколения;
специализированных лазерных полупроводниковых диодов и
лазерных волоконно-оптических модулей;
для лазерных навигационных приборов, включая интегральный
оптический модуль лазерного гироскопа на базе сверхмалогабаритных
кольцевых полупроводниковых лазеров инфракрасного диапазона,
оптоэлектронные компоненты для широкого класса инерциальных
лазерных систем управления движением гражданских и специальных
средств транспорта;
полного комплекта электронной компонентной базы для
производства лазерного устройства определения наличия опасных,
взрывчатых, отравляющих и наркотических веществ в контролируемом
пространстве.
Приборы светотехники и отображения информации будут
совершенствоваться на основе разработки:
технологий интегрированных катодолюминесцентных дисплеев
двойного назначения со встроенным микроэлектронным управлением;
технологии высокояркостных светодиодов и индикаторов основных
цветов свечения для систем подсветки в приборах нового поколения;
базовой технологии и конструкции оптоэлектронных приборов
(оптроны, оптореле, светодиоды) в миниатюрных корпусах для
поверхностного монтажа;
базовой технологии изготовления высокоэффективных солнечных
элементов на базе использования кремния, полученного по
"бесхлоридной" технологии и технологии "литого" кремния
прямоугольного сечения;
технологий получения новых классов органических (полимерных)
люминофоров, пленочных транзисторов на основе "прозрачных"
материалов, полимерной пленочной основы и технологий изготовления
крупноформатных гибких и особо плоских экранов на базе
высокоразрешающих процессов струйной печати и непрерывного
процесса изготовления "с катушки на катушку";
базовых конструкций и технологии активных матриц и драйверов
плоских экранов на основе аморфных, поликристаллических,
кристаллических кремниевых интегральных структур на различных
подложках и созданных на их основе перспективных видеомодулей,
включая органические электролюминесцентные, жидкокристаллические и
катодолюминесцентные;
базовой конструкции и технологии крупноформатных полноцветных
газоразрядных видеомодулей.
В рамках направления 7 "Обеспечивающие работы" предусмотрено
выполнение комплекса мероприятий, включающих:
разработку межведомственной информационно-справочной системы и
баз данных по библиотекам стандартных элементов, правилам
проектирования, системе заказа шаблонов, изготовлению опытных
образцов и аттестации проектов сложной электронной компонентной
базы;
разработку научно обоснованных рекомендаций по дальнейшему
развитию электронной компонентной базы и подготовку комплектов
документов программно-целевого развития электронной техники в
интересах обеспечения технологической и информационной
безопасности России;
систематический контроль и анализ выполнения мероприятий
подпрограммы, формирование годовых планов, проведение конкурсного
отбора научно-исследовательских и опытно-конструкторских работ и
анализ выполнения подпрограммы;
создание и внедрение комплекса методической и
научно-технической документации по проектированию сложной
электронной компонентной базы, по обеспечению надежности и
качества, экологической безопасности и защите интеллектуальной
собственности с учетом обеспечения требований Всемирной торговой
организации.
IV. Обоснование ресурсного обеспечения подпрограммы
Расходы на реализацию мероприятий подпрограммы составляют
38460 млн. рублей, в том числе:
а) за счет средств федерального бюджета - 23200 млн. рублей,
из них:
на научно-исследовательские и опытно-конструкторские работы -
15880 млн. рублей;
на капитальные вложения - 7320 млн. рублей;
б) за счет средств внебюджетных источников - 15260 млн. рублей.
Ресурсное обеспечение подпрограммы предусматривает привлечение
средств федерального бюджета и внебюджетных средств.
Средства федерального бюджета направляются в первую очередь на
финансирование следующих приоритетных направлений развития
электронной компонентной базы:
сверхвысокочастотная электроника, включая сверхвысокочастотные
материалы;
радиационно стойкая электронная компонентная база, включая
радиационно стойкие материалы и радиационно стойкую
микроэлектронику;
микросистемная техника на базе микроэлектромеханических
систем, интеллектуальных сенсоров и интегрированных структур,
включая материалы для микросистемной техники;
базовые центры системного проектирования, в том числе
межотраслевой центр проектирования, каталогизации и изготовления
фотошаблонов.
Приоритетность направлений обусловлена имеющимся
научно-техническим заделом, прогрессивностью новых исследований и
результатов, удельным весом данного направления в общем объеме
работ по развитию электроники и темпами развития специальной и
гражданской техники.
Объемы финансирования приоритетных направлений развития
электронной компонентной базы в 2007 - 2011 годах за счет средств
федерального бюджета приведены в приложении N 3.
Наибольшие суммы средств на научные исследования выделяются на
проведение научно-исследовательских работ в области развития
сверхвысокочастотной техники, радиационно стойкой электронной
компонентной базы и микросистемной техники (около 58 процентов).
За пятилетний период планируется в первую очередь осуществить
техническое перевооружение предприятий, работающих в области
сверхвысокочастотной техники, радиационно стойкой электронной
компонентной базы и микросистемной техники, для чего планируется
выделить 54 процента всех капитальных вложений. При этом
наибольшая сумма капитальных вложений (41 процент) будет выделена
на создание и техническое оснащение базовых центров системного
проектирования и межотраслевого центра фотошаблонов. Таким
образом, на четыре приоритетных направления развития электронной
компонентной базы в 2007 - 2011 годах планируется выделить 70
процентов всех финансовых средств, выделяемых на реализацию
подпрограммы.
Объем финансирования научно-исследовательских и
опытно-конструкторских работ по всем направлениям подпрограммы за
счет внебюджетных средств будет не менее 7940 млн. рублей.
Источниками внебюджетных средств станут средства организаций -
исполнителей работ и привлеченные средства (кредиты банков,
заемные средства, средства потенциальных потребителей технологий и
средств от эмиссии акций).
Капитальные вложения направляются на создание и освоение
перспективных технологических процессов изготовления электронной
компонентной базы, развитие производств нового технологического
уровня, обеспечивающих ускоренное наращивание объемов производства
конкурентоспособной продукции. Для реализации проектов по
техническому перевооружению предприятиями привлекаются
внебюджетные средства в объеме государственных капитальных
вложений. Замещение внебюджетных средств, привлекаемых для
выполнения мероприятий научно-исследовательских и
опытно-конструкторских работ реконструкции и технического
перевооружения организаций, средствами федерального бюджета не
допускается.
Объемы и источники финансирования научно-исследовательских и
опытно-конструкторских работ и капитальных вложений подпрограммы
по годам приведены в приложении N 4.
|
