|
Стр. 10
предназначенных для ииспользования
в аппаратуре жилищно-
коммунального хозяйсттва, в
медицинской и биомедиицинской
технике для обнаруженния
токсичных, горючих и взрывчатых
материалов
38. Разработка базовых конструкций 224 - - 64 102 58 создание базовых консструкций
микроаналитических систем --- -- --- -- микроаналитических сиистем,
164 30 86 48 предназначенных для ааппаратуры
жилищно-коммунальногоо хозяйства,
медицинской и биомедиицинской
техники;
разработка датчиков и
аналитических систем миниатюрных
размеров с высокой
чувствительностью к ссверхмалым
концентрациям химичесских веществ
для осуществления монниторинга
окружающей среды, коннтроля
качества пищевых проддуктов и
контроля утечек опаснных и вредных
веществ в технологичееских
процессах
39. Разработка базовых технологий 151 57 59 35 - - создание базовых техннологий
микрооптоэлектромеханических --- -- -- -- выпуска трехмерных опптических и
систем 109 38 41 30 акустооптических функкциональных
элементов,
микрооптоэлектромеханнических
систем для коммутациии и модуляции
оптического излученияя,
акустооптических переестраиваемых
фильтров, двухмерных управляемых
матриц микрозеркал
микропереключателей и
фазовращателей
40. Разработка базовых конструкций 208 - - 35 112 61 разработка базовых коонструкций и
микрооптоэлектромеханических --- -- --- -- комплектов, конструктторской
систем 145 30 75 40 документации на изготтовление
микрооптоэлектромеханнических
систем коммутации и ммодуляции
оптического излучения
41. Разработка базовых технологий 106 51 55 - - - создание базовых техннологий
микросистем анализа магнитных --- -- -- изготовления микросисстем анализа
полей 72 34 38 магнитных полей на осснове
анизотропного и гиганнтского
магниторезистивного ээффектов,
квазимонолитных и моннолитных
гетеромагнитных пленоочных
структур
42. Разработка базовых конструкций 214 - - 54 104 56 разработка базовых коонструкций и
микросистем анализа магнитных --- -- --- -- комплектов конструктоорской
полей 137 30 69 38 документации на
магниточувствительные
микросистемы для примменения в
электронных системах управления
приводами, в датчикахх положения и
потребления, бесконтаактных
переключателях
43. Разработка базовых технологий 119 42 45 32 - - разработка и освоениее в
радиочастотных микроэлектро- --- -- -- -- производстве базовых технологий
механических систем 89 28 31 30 изготовления радиочасстотных
микроэлектромеханичесских систем и
компонентов, включающщих
микрореле, коммутаторры,
микропереключатели
44. Разработка базовых конструкций 166 - - 32 87 47 разработка базовых коонструкций и
радиочастотных --- -- -- -- комплектов конструктоорской
микроэлектромеханических систем 119 30 58 31 документации на изготтовление
радиочастотных
микроэлектромеханичесских систем -
компонентов, позволяюющих получить
резкое улучшение масссогабаритных
характеристик, повышеение
технологичности и сниижение
стоимости изделий
45. Разработка методов и средств 81 41 40 - - - создание методов и срредств
обеспечения создания и -- -- -- контроля и измерения параметров и
производства изделий 54 30 24 характеристик изделий
микросистемной техники микросистемотехники, разработка
комплектов стандартовв и
нормативных документоов по
безопасности и экологгии
Всего по направлению 3 2768 429 476 540 858 465
---- --- --- --- --- ---
1845 286 317 360 572 310
Направлеение 4 "Микроэлектроника"
46. Разработка технологии и развитие 443 173 148,9 121,1 - - разработка комплекта нормативно-
методологии проектирования ----- --- ----- ----- технической документаации по
изделий микроэлектроники: 212,6 87 76,6 49 проектированию изделиий
разработка и освоение микроэлектроники, созздание
современной технологии отраслевой базы данныых с
проектирования универсальных каталогами библиотечнных элементов
микропроцессоров, процессоров и сложнофункциональныых блоков с
обработки сигналов, каталогизированными ррезультатами
микроконтроллеров и "системы на аттестации на физичесском уровне
кристалле" на основе (2008 г.), разработкаа комплекта
каталогизированных нормативно-техническоой и
сложнофункциональных блоков и технологической докумментации по
библиотечных элементов, в том взаимодействию центроов
числе создание отраслевой базы проектирования в сетеевом режиме
данных и технологических файлов
для автоматизированных систем
проектирования;
освоение и развитие технологии
проектирования для обеспечения
технологичности производства и
стабильного выхода годных с
целью размещения заказов на
современной базе контрактного
производства с технологическим
уровнем до 0,13 мкм
47. Разработка и освоение базовой 64 30 22 12 - - разработка комплекта
технологии производства ---- -- ---- -- технологической докумментации и
фотошаблонов с технологическим 42,7 20 14,7 8 организационно-распоррядительной
уровнем до 0,13 мкм с целью документации по взаиммодействию
обеспечения информационной центров проектированиия и центра
защиты проектов изделий изготовления фотошабллонов
микроэлектроники при
использовании контрактного
производства (отечественного и
зарубежного)
48. Разработка семейств и серий 1050,9 284 336,7 430,2 - - разработка комплектов
изделий микроэлектроники: ----- --- ----- ----- документации в стандаартах единой
универсальных микропроцессоров 617,8 151 180 286,8 системы конструкторсккой,
для встроенных применений; технологической и
универсальных микропроцессоров производственной докуументации,
для серверов и рабочих станций; изготовление опытных образцов
цифровых процессоров обработки изделий и организацияя серийного
сигналов; производства
сверхбольших интегральных схем,
программируемых логических
интегральных схем; сверхбольших
интегральных схем
быстродействующей динамической и
статической памяти;
микроконтроллеров со встроенной
энергонезависимой электрически
программируемой памятью; схем
интерфейса дискретного
ввода/вывода; схем аналогового
интерфейса;
цифро-аналоговых и аналого-
цифровых преобразователей
на частотах выше 100 МГц с
разрядностью более 8 - 12 бит;
схем приемопередатчиков шинных
интерфейсов; изделий
интеллектуальной силовой
микроэлектроники для применения
в аппаратуре промышленного и
бытового назначения; встроенных
интегральных источников питания
49. Разработка базовых серийных 1801,6 - - - 799,8 1001,8 разработка комплектов
технологий изделий ------ ----- ------ документации в стандаартах единой
микроэлектроники: 1200,9 533,1 667,8 системы конструкторсккой,
цифро-аналоговых и аналого- технологической и
цифровых преобразователей на производственной докуументации,
частотах выше 100 МГц с изготовление опытных образцов
разрядностью более 14 - 16 бит изделий и организацияя серийного
802.11, 802.16, WiMAX и т.д.; производства
микроэлектронных сенсоров
различных типов, включая сенсоры
с применением наноструктур и
биосенсоров;
сенсоров на основе
магнитоэлектрических и
пьезоматериалов; встроенных
интегральных антенных элементов
для диапазонов частот 5 ГГц, 10 -
12 ГГц; систем на кристалле, в
том числе в гетероинтеграции
сенсорных и исполнительных
элементов методом беспроводной
сборки с применением технологии
матричных жестких выводов
50. Разработка технологии и освоение 513,4 51 252,4 210 - - разработка комплектов
производства изделий ----- -- ----- --- документации в стандаартах единой
микроэлектроники с 342,3 34 168,3 140 системы конструкторсккой,
технологическим уровнем 0,13 мкм технологической и ввоод в
эксплуатацию производдственной
линии
51. Разработка базовой технологии 894,8 - - - 146,3 748,5 разработка комплектов
формирования многослойной ----- ----- ----- документации в стандаартах единой
разводки (7 - 8 уровней) 596,2 97,3 498,9 системы конструкторсккой,
сверхбольших интегральных схем технологической и
на основе Al и Cu производственной докуументации,
ввод в эксплуатацию
производственной линиии
52. Разработка технологии и 494,2 - - 211,1 166,4 116,7 разработка комплектов
организация производства ----- ----- ----- ----- документации в стандаартах единой
многокристальных 294,2 105,6 110,9 77,7 системы конструкторсккой,
микроэлектронных модулей для технологической и
мобильных применений с производственной докуументации,
использованием полимерных и ввод в эксплуатацию
металлополимерных микроплат и производственной линиии
носителей
53. Разработка новых методов 258 85 68 105 - - разработка комплектов
технологических испытаний --- -- -- --- документации в стандаартах единой
изделий микроэлектроники, 258 85 68 105 системы конструкторсккой,
гарантирующих их повышенную технологической и
надежность в процессе производственной докуументации,
долговременной (более 100 000 ввод в эксплуатацию
часов) эксплуатации, на основе специализированных уччастков
использования типовых оценочных
схем и тестовых кристаллов
54. Разработка современных методов 342 115 132 95 - - разработка комплектов
анализа отказов изделий --- --- --- -- документации, включая
микроэлектроники с применением 342 115 132 95 утвержденные отраслеввые методики,
ультраразрешающих методов ввод в эксплуатацию
(ультразвуковая гигагерцовая модернизированных учаастков и
микроскопия, сканирование лабораторий анализа оотказов
синхротронным излучением,
атомная и туннельная силовая
микроскопия, электронно- и
ионно-лучевое зондирование и
др.)
Всего по направлению 4 5861,9 738 960 1184,4 1112,5 1867
------ --- ----- ------ ------ ------
3906,7 492 639,6 789,4 741,3 1244,4
Направление 5 "Элекктронные материалы и структуры"
55. Разработка технологии 132 54 51 27 - - внедрение новых диэлеектрических
производства новых --- -- -- -- материалов на основе
диэлектрических материалов на 85 36 32 17 ромбоэдрической модиффикации
основе ромбоэдрической нитрида бора и подложжек из
модификации нитрида бора и поликристаллического алмаза с
подложек из поликристаллического повышенной теплопровоодностью и
алмаза электропроводностью ддля создания
нового поколения
высокоэффективных и ннадежных
сверхвысокочастотных приборов
56. Разработка технологии 131 - - - 77 54 создание технологии ппроизводства
производства --- -- -- гетероэпитаксиальных структур и
гетероэпитаксиальных структур и 87 51 36 структур гетеробиполяярных
структур гетеробиполярных транзисторов на основве нитридных
транзисторов на основе нитридных соединений A3B5 для ообеспечения
соединений A3B5 для мощных разработок и изготовлления
полупроводниковых приборов и сверхвысокочастотных монолитных
сверхвысокочастотных монолитных интегральных схем и ммощных
интегральных схем транзисторов
57. Разработка базовой технологии 129 52 50 27 - - создание базовой техннологии
производства метаморфных --- -- -- -- производства гетеросттруктур и
структур на основе GaAs и 84 34 32 18 псевдоморфных структуур на
псевдоморфных структур на подложках InP для перрспективных
подложках InP для приборов полупроводниковых прииборов и
сверхвысокочастотной электроники сверхвысокочастотных монолитных
диапазона 60 - 90 ГГц интегральных схем диаапазона 60 -
90 ГГц
58. Разработка технологии 133 - - - 79 54 создание спинэлектроннных
производства спинэлектронных --- -- -- магнитных материалов и
магнитных материалов, 88 52 36 микроволновых структуур со
радиопоглощающих и спиновым управлением для создания
мелкодисперсных ферритовых перспективных микровоолновых
материалов для сверхвысокочастотных приборов
сверхвысокочастотных приборов повышенного быстродеййствия и
низкого энергопотреблления
59. Разработка технологии 128 51 50 27 - - создание технологии ммассового
производства высокочистых --- -- -- -- производства высокочиистых
химических материалов (аммиака, 85 36 31 18 химических материаловв (аммиака,
арсина, фосфина, тетрахлорида арсина, фосфина, тетррахлорида
кремния) в обеспечение кремния) для выпуска
производства полупроводниковых полупроводниковых поддложек
подложек нитрида галлия, нитрида галлия, арсеннида галлия,
арсенида галлия, фосфида индия, фосфида индия, кремниия и
кремния и гетероэпитаксиальных гетероэпитаксиальных структур на
структур на их основе их основе
60. Разработка технологии 134 - - - 79 55 создание технологии ппроизводства
производства поликристаллических --- -- -- поликристаллических аалмазов и его
алмазов и их пленок для 88 52 36 пленок для мощных
теплопроводных конструкций сверхвысокочастотных приборов
мощных выходных транзисторов и
сверхвысокочастотных приборов
61. Исследование путей и разработка 98 41 36 21 - - создание технологии иизготовления
технологии изготовления новых -- -- -- -- новых микроволокон наа основе
микроволокон на основе 65 27 24 14 двухмерных диэлектричческих и
двухмерных диэлектрических и металлодиэлектрическиих микро- и
металлодиэлектрических микро- и наноструктур для новыых классов
наноструктур, а также микроструктурных прибборов,
полупроводниковых нитей с магниторезисторов, оссцилляторов,
наноразмерами при вытяжке устройств оптоэлектрооники
стеклянного капилляра,
заполненного жидкой фазой
полупроводника
62. Разработка технологии 106 - - 25 44 37 создание базовой пленночной
выращивания слоев пьезокерамики --- -- -- -- технологии пьезокераммических
на кремниевых подложках для 69 17 28 24 элементов, совместимоой с
формирования комплексированных комплементарной металлло-оксидной
устройств микросистемной техники полупроводниковой теххнологией для
разработки нового клаасса активных
пьезокерамических усттройств,
интегрированных с миккросистемами
63. Разработка методологии и базовых 98 41 36 21 - - создание технологии ттравления и
технологий создания многослойных -- -- -- -- изготовления кремниеввых
кремниевых структур с 64 26 24 14 трехмерных базовых эллементов
использованием "жертвенных" и микроэлектромеханичесских систем с
"стопорных" диффузионных и использованием "жертввенных" и
диэлектрических слоев для "стопорных" слоев дляя серийного
производства силовых приборов и производства элементоов
элементов микроэлектромеханичесских систем
микроэлектромеханических систем кремниевых структур с
использованием силикаатных стекол,
моно-, поликристалличческого и
пористого кремния и ддиоксида
кремния
64. Разработка базовых технологий 105 - - - 61 44 создание технологии пполучения
получения алмазных --- -- -- алмазных полупроводнииковых
полупроводниковых наноструктур и 70 41 29 наноструктур и нанораазмерных
наноразмерных органических органических покрытийй, алмазных
покрытий с широким диапазоном полупроводящих пленокк для
функциональных свойств конкурентоспособных
высокотемпературных ии радиационно
стойких устройств и пприборов
двойного назначения
65. Исследование и разработка 191 50 57 84 - - создание технологии иизготовления
технологии роста эпитаксиальных --- -- -- -- гетероструктур и эпиттаксиальных
слоев карбида кремния, структур 128 35 38 55 структур на основе ниитридов для
на основе нитридов, а также создания радиационно стойких
формирования изолирующих и сверхвысокочастотных и силовых
коммутирующих слоев в приборах приборов нового поколления
экстремальной электроники
66. Разработка технологии 227 67 52 108 - - создание технологии ппроизводства
производства радиационно стойких --- -- -- --- структур "кремний на сапфире"
сверхбольших интегральных схем 130 40 35 55 диаметром до 150 мм сс толщиной
на ультратонких приборного слоя до 0,,1 мкм и
гетероэпитаксиальных структурах топологическими нормаами до 0,18
кремния на сапфировой подложке мкм для производства электронной
для производства электронной компонентной базы спеециального и
компонентной базы специального и двойного назначения
двойного применения
67. Разработка технологии 191 45 54 92 - - создание технологии ппроизводства
производства высокоомного --- -- -- -- радиационно облученноого кремния и
радиационно облученного кремния, 126 30 36 60 пластин кремния до 1550 мм для
слитков и пластин кремния выпуска мощных транзиисторов и
диаметром до 150 мм для сильноточных тиристорров нового
производства силовых поколения
полупроводниковых приборов
68. Разработка технологии 114 22 36 56 - - разработка и промышлеенное
производства кремниевых подложек --- -- -- -- освоение получения
и структур для силовых 83 20 24 39 высококачественных поодложек и
полупроводниковых приборов с структур для использоования в
глубокими высоколегированными производстве силовых
слоями p- и n-типов проводимости полупроводниковых прииборов, с
и скрытыми слоями носителей с глубокими высоколегиррованными
повышенной рекомбинацией слоями и скрытыми слооями
носителей с повышенноой
рекомбинацией
69. Разработка технологии 326 110 72 144 - - создание технологии ппроизводства
производства электронного --- --- -- --- пластин кремния диамеетром до 200
кремния, кремниевых пластин 233 71 48 114 мм и эпитаксиальных сструктур
диаметром до 200 мм и кремниевых уровня 0,25 - 0,18 мккм
эпитаксиальных структур уровня
технологии 0,25 - 0,18 мкм
70. Разработка методологии, 232 - - - 109 123 разработка технологии
конструктивно-технических --- --- --- корпусирования интегрральных схем
решений и перспективной базовой 161 78 83 и полупроводниковых пприборов на
технологии корпусирования основе использования многослойных
интегральных схем и кремниевых структур ссо сквозными
полупроводниковых приборов на токопроводящими каналлами,
основе использования обеспечивающей сокращщение состава
многослойных кремниевых структур сборочных операций и формирование
со сквозными токопроводящими трехмерных структур
каналами
71. Разработка технологии 220 - - - 85 135 создание базовой техннологии
производства гетероструктур SiGe --- -- --- производства гетеросттруктур SiGe
биполярной комплементарной 143 53 90 для выпуска быстродеййствующих
металл-окисел полупроводниковой сверхбольших интегралльных схем с
технологии для разработки топологическими нормаами 0,25 -
приборов с топологическими 0,18 мкм
нормами 0,25 - 0,18 мкм
72. Разработка технологии 78 32 28 18 - - создание технологии ввыращивания и
выращивания и обработки, в том -- -- -- -- обработки пьезоэлектррических
числе плазмохимической, новых 55 21 22 12 материалов акустоэлекктроники и
пьезоэлектрических материалов акустооптики для обесспечения
для акустоэлектроники и производства широкой номенклатуры
акустооптики акустоэлектронных усттройств
нового поколения
73. Разработка технологий 87 - - - 32 55 создание технологии ммассового
производства -- -- -- производства исходныхх материалов
соединений A3B5 и тройных 58 22 36 и структур для перспеективных
структур для: приборов лазерной и
производства сверхмощных оптоэлектронной техниики, в том
лазерных диодов; числе:
высокоэффективных светодиодов производства сверхмощщных лазерных
белого, зеленого, синего и диодов;
ультрафиолетового диапазонов; высокоэффективных свеетодиодов
фотоприемников среднего белого, зеленого, синнего и
инфракрасного диапазона ультрафиолетового диаапазонов;
фотоприемников среднеего
инфракрасного диапазоона
74. Исследование и разработка 80 32 30 18 - - создание технологии ппроизводства
технологии получения -- -- -- -- принципиально новых мматериалов
гетероструктур с вертикальными 55 22 22 11 полупроводниковой элеектроники на
оптическими резонаторами на основе сложных композзиций для
основе квантовых ям и квантовых перспективных прибороов лазерной и
точек для производства оптоэлектронной техниики
вертикально излучающих лазеров
для устройств передачи
информации и матриц для
оптоэлектронных переключателей
нового поколения
75. Разработка технологии 86 - - - 32 54 создание технологии ппроизводства
производства современных -- -- -- компонентов для
компонентов для 57 22 35 специализированных эллектронно-
специализированных лучевых;
фотоэлектронных приборов, в том электроннооптических и
числе: отклоняющих систем;
катодов и газопоглотителей; стеклооболочек и детаалей из
электронно-оптических и электровакуумного стеекла
отклоняющих систем; различных марок
стеклооболочек и деталей из
электровакуумного стекла
различных марок
76. Разработка технологии 80 33 30 17 - - создание технологии ппроизводства
производства особо тонких -- -- -- -- особо тонких гетерироованных
гетерированных нанопримесями 54 22 20 12 нанопримесями полупрооводниковых
полупроводниковых структур для структур для изготовлления
высокоэффективных фотокатодов, высокоэффективных фоттокатодов
электронно-оптических электронно-оптических
преобразователей и преобразователей и
фотоэлектронных умножителей, фотоэлектронных умножжителей,
приемников инфракрасного приемников инфракраснного
диапазона, солнечных элементов и диапазона, солнечных элементов и
др., фотоэлектронных приборов с других приложений
высокими значениями коэффициента
полезного действия
77. Разработка базовой технологии 85 - - - 32 53 создание технологии
производства монокристаллов AlN -- -- -- монокристаллов AlN длля
для изготовления изолирующих и 58 22 36 изготовления изолируюющих и
проводящих подложек для проводящих подложек ддля создания
гетероструктур полупроводниковых
высокотемпературных ии мощных
сверхвысокочастотных приборов
нового поколения
78. Разработка базовой технологии 80 33 30 17 - - создание базовой техннологии
производства -- -- -- -- вакуумно-плотной спеццстойкой
наноструктурированных оксидов 54 22 20 12 керамики из нанокристталлических
металлов (корунда и т.п.) для порошков и нитридов мметаллов для
производства вакуумно-плотной промышленного освоениия
нанокерамики, в том числе с спецстойких приборов нового
заданными оптическими свойствами поколения, в том числле
микрочипов, сверхвысоокочастотных
аттенюаторов, RLC-маттриц, а также
особо прочной электроонной
компонентной базы опттоэлектроники
и фотоники
79. Разработка базовой технологии 86 - - - 33 53 создание технологии ппроизводства
производства полимерных и -- -- -- полимерных и композицционных
гибридных органо-неорганических 58 21 37 материалов с использоованием
наноструктурированных защитных поверхностной и объеммной
материалов для электронных модификации полимеров
компонентов нового поколения наноструктурированнымми
прецизионных и наполнителями для созздания
сверхвысокочастотных резисторов, изделий с высокой мехханической,
терминаторов, аттенюаторов и термической и радиациионной
резисторно-индукционно-емкостных стойкостью при работее в условиях
матриц, стойких к воздействию длительной эксплуатацции и
комплекса внешних и специальных воздействии комплексаа специальных
факторов внешних факторов
Всего по направлению 5 3357 663 612 702 663 717
---- --- --- --- --- ---
2238 442 408 468 442 478
Направление 6 "Группы пасссивной электронной компонентной базы"
80. Разработка технологии выпуска 57 24 18 15 - - разработка расширенноого ряда
прецизионных -- -- -- -- резонаторов с повышеннной
температуростабильных 38 16 12 10 кратковременной и доллговременной
высокочастотных до 1,5 - 2 ГГц стабильностью для созздания
резонаторов на поверхностно контрольной и связнойй аппаратуры
акустических волнах до 1,5 ГГц с двойного назначения
полосой до 70 процентов и
длительностью сжатого сигнала до
2 - 5 нс
81. Разработка в лицензируемых и 120 - - 21 48 51 создание технологии ии конструкции
нелицензируемых международных --- -- -- -- акустоэлектронных пасссивных и
частотных диапазонах 860 МГц и 80 14 32 34 активных меток-трансппондеров для
2,45 ГГц ряда радиочастотных применения в логистичческих
пассивных и активных приложениях на трансппорте, в
акустоэлектронных меток- торговле и промышленнности
транспондеров, в том числе
работающих в реальной помеховой
обстановке, для систем
радиочастотной идентификации и
систем управления доступом
82. Разработка базовой конструкции и 56 24 17 15 - - создание технологии
промышленной технологии -- -- -- -- проектирования и базоовых
производства пьезокерамических 37 16 11 10 конструкций пьезоэлекктрических
фильтров в корпусах для фильтров в малогабариитных
поверхностного монтажа корпусах для поверхноостного
монтажа при изготовлеении связной
аппаратуры массового применения
83. Разработка технологии 125 86 39 - - - создание базовой техннологии
проектирования, базовой --- -- -- акустоэлектронных прииборов для
технологии производства и 83 57 26 перспективных систем связи,
конструирования измерительной и навиггационной
акустоэлектронных устройств аппаратуры нового покколения -
нового поколения и фильтров подвижных, спутниковыых,
промежуточной частоты с высокими тропосферных и радиоррелейных
характеристиками для современных линий связи, цифровогго
систем связи, включая интерактивного телевиидения,
высокоизбирательные радиоизмерительной апппаратуры,
высокочастотные устройства радиолокационных станнций,
частотной селекции на спутниковых навигациоонных систем
поверхностных и приповерхностных
волнах и волнах Гуляева-
Блюштейна с предельно низким
уровнем вносимого затухания для
частотного диапазона до 5 ГГц
84. Разработка технологии 96 - - 33 63 - создание технологии ппроизводства
проектирования и базовой -- -- -- высокоинтегрированнойй электронной
технологии производства 64 22 42 компонентной базы типпа "система в
функциональных законченных корпусе" для вновь
устройств стабилизации, селекции разрабатываемых и моддернизируемых
частоты и обработки сигналов сложных радиоэлектроннных систем и
типа "система в корпусе" комплексов
85. Разработка базовой конструкции и 69 - - - 48 21 создание базовой техннологии (2010
технологии изготовления -- -- -- г.) и базовой конструукции
высокочастотных резонаторов и 46 32 14 микроминиатюрных высоокодобротных
фильтров на объемных фильтров для малогабааритной и
акустических волнах для носимой аппаратуры наавигации и
телекоммуникационных и связи
навигационных систем
86. Разработка технологии и базовой 80 50 30 - - - создание нового поколления
конструкции фоточувствительных -- -- -- оптоэлектронных прибооров для
приборов с матричными 53 33 20 обеспечения задач преедотвращения
приемниками высокого разрешения аварий и контроля
для видимого и ближнего
инфракрасного диапазона для
аппаратуры контроля изображений
87. Разработка базовой технологии 50 13 16 21 - - создание базовой техннологии
унифицированных электронно- -- -- -- -- нового поколения прибборов
оптических преобразователей, 33 9 10 14 контроля тепловых поллей для задач
микроканальных пластин, теплоэнергетики, медиицины,
пироэлектрических матриц и камер поисковой и контрольнной
на их основе с чувствительностью аппаратуры на транспоорте,
до 0,1 К и широкого продуктопроводах и в охранных
инфракрасного диапазона системах
88. Разработка базовой технологии 129 45 45 39 - - создание базовой техннологии (2008
создания интегрированных --- -- -- -- г.) и конструкции новвых типов
гибридных фотоэлектронных 85 30 30 25 приборов, сочетающих
высокочувствительных и фотоэлектронные и твеердотельные
высокоразрешающих приборов и технологии, с целью пполучения
усилителей для задач экстремально достижиммых
космического мониторинга и характеристик для заддач контроля
специальных систем наблюдения, и наблюдения в системмах двойного
научной и метрологической назначения
аппаратуры
89. Разработка базовых технологий 159 63 45 51 - - создание базовой техннологии (2008
мощных полупроводниковых --- -- -- -- г.) и конструкций приинципиально
лазерных диодов (непрерывного и 106 42 30 34 новых мощных диодных лазеров,
импульсного излучения) предназначенных для шширокого
специализированных лазерных применения в изделияхх двойного
полупроводниковых диодов, назначения, медицины,
фотодиодов и лазерных волоконно- полиграфического оборрудования и
оптических модулей для создания системах открытой опттической
аппаратуры и систем нового связи
поколения
90. Разработка и освоение базовых 98 - - 15 60 23 разработка базового ккомплекта
технологий для лазерных -- -- -- -- основных оптоэлектроннных
навигационных приборов, включая 65 10 40 15 компонентов для лазеррных
интегральный оптический модуль гироскопов широкого пприменения
лазерного гироскопа на базе (2010 г.), создание ккомплекса
сверхмалогабаритных кольцевых технологий обработки и
полупроводниковых лазеров формирования структуррных и
инфракрасного диапазона, приборных элементов, оборудования
оптоэлектронные компоненты для контроля и аттестациии,
широкого класса инерциальных обеспечивающих новый уровень
лазерных систем управления технико-экономическихх показателей
движением гражданских и производства
специальных средств транспорта
91. Разработка базовых конструкций и 74 27 22 25 - - создание базовой техннологии
технологий создания квантово- -- -- -- -- твердотельных чип-лаззеров для
электронных приемо-передающих 50 18 15 17 лазерных дальномеров,
модулей для малогабаритных твердотельных лазеровв с
лазерных дальномеров нового пикосекундными длителльностями
поколения на основе импульсов для установвок по
твердотельных чип-лазеров с прецизионной обработкке
полупроводниковой накачкой, композитных материалоов, для
технологических лазерных создания элементов и изделий
установок широкого спектрального микромашиностроения ии в
диапазона производстве электроннной
компонентной базы новвого
поколения, мощных лаззеров для
применения в машиносттроении,
авиастроении, автомоббилестроении,
судостроении, в состааве
промышленных технологгических
установок обработки ии сборки,
систем экологическогоо мониторинга
окружающей среды, коннтроля
выбросов патогенных ввеществ,
контроля утечек в
продуктопроводах
92. Разработка базовых технологий 127 60 55 12 - - создание технологии пполучения
формирования конструктивных --- -- -- -- широкоапертурных элемментов на
узлов и блоков для лазеров 85 40 37 8 основе алюмоиттриевой
нового поколения и технологии легированной керамикии композитных
создания полного комплекта составов для лазеров с диодной
электронной компонентной накачкой (2008 г.),
базы для производства лазерного высокоэффективных
устройства определения наличия преобразователей часттоты
опасных, взрывчатых, отравляющих лазерного излучения, организация
и наркотических веществ в промышленного выпускаа оптических
контролируемом пространстве изделий и лазерных эллементов
широкой номенклатуры
93. Разработка базовых технологий, 82 30 25 27 - - разработка расширенноой серии
базовой конструкции и -- -- -- -- низковольтных
организация производства 55 20 17 18 катодолюминесцентных и других
интегрированных дисплеев с широким дииапазоном
катодолюминесцентных и других эргономических характтеристик и
дисплеев двойного назначения со свойств по условиям пприменения
встроенным микроэлектронным для информационных и контрольных
управлением систем
94. Разработка технологии и базовых 72 27 24 21 - - создание ряда принциппиально новых
конструкций высокояркостных -- -- -- -- светоизлучающих прибооров с
светодиодов и индикаторов 48 18 16 14 минимальными геометриическими
основных цветов свечения для размерами, высокой наадежностью и
систем подсветки в приборах устойчивостью к механническим и
нового поколения климатическим воздейсствиям,
обеспечивающих энергоосбережение
за счет замены ламп ннакаливания в
системах подсветки апппаратуры и
освещения
95. Разработка базовой технологии и 90 - - 15 57 18 создание базовой техннологии
конструкции оптоэлектронных -- -- -- -- производства нового ппоколения
приборов (оптроны, оптореле, 60 10 38 12 оптоэлектронной высоккоэффективной
светодиоды) в миниатюрных и надежной электронноой
корпусах для поверхностного компонентной базы для
монтажа промышленного оборудоования и
систем связи
96. Разработка схемотехнических 81 30 24 27 - - создание технологии нновых классов
решений и унифицированных -- -- -- -- носимой и стационарноой
базовых конструкций и технологий 54 20 16 18 аппаратуры, экранов оотображения
формирования твердотельных информации коллективнного
видеомодулей на пользования повышенныых емкости и
полупроводниковых формата
светоизлучающих структурах для
носимой аппаратуры, экранов
индивидуального и
коллективного пользования с
бесшовной стыковкой
97. Разработка базовой технологии 93 33 30 30 - - создание технологии ммассового
изготовления высокоэффективных -- -- -- -- производства солнечныых элементов
солнечных элементов на базе 62 22 20 20 для индивидуального и
использования кремния, коллективного использзования в
полученного по "бесхлоридной" труднодоступных районнах, развития
технологии и технологии "литого" солнечной энергетики в жилищно-
кремния прямоугольного сечения коммунальном хозяйствве в
обеспечение задач
энергосбережения
98. Разработка базовой технологии и 59 21 18 20 - - создание технологии ммассового
освоение производства -- -- -- -- производства нового ккласса
оптоэлектронных реле с 39 14 12 13 оптоэлектронных прибооров для
повышенными техническими широкого применения в
характеристиками для радиоэлектронной аппааратуре
поверхностного монтажа
99. Комплексное исследование и 162 - - 33 99 30 создание базовой техннологии
разработка технологий получения --- -- -- -- массового производствва экранов с
новых классов органических 108 22 66 20 предельно низкой уделльной
(полимерных) люминофоров, стоимостью для информмационных и
пленочных транзисторов на основе обучающих систем
"прозрачных" материалов,
полимерной пленочной основы и
технологий изготовления
крупноформатных гибких и особо
плоских экранов, в том числе на
базе высокоразрешающих процессов
струйной печати и непрерывного
процесса изготовления типа "с
катушки на катушку"
100. Разработка базовых конструкций и 183 - 45 33 105 - создание технологии ии конструкции
технологии активных матриц и --- -- -- --- активно-матричных оргганических
драйверов плоских экранов на 122 30 22 70 электролюминесцентныхх,
основе аморфных, жидкокристаллических и
поликристаллических и катодолюминесцентных дисплеев,
кристаллических кремниевых стойких к внешним спеециальным и
интегральных структур на климатическим воздейсствиям
различных подложках и создание
на их основе перспективных
видеомодулей, включая
органические
электролюминесцентные,
жидкокристаллические и
катодолюминесцентные, создание
базовой технологии серийного
производства монолитных модулей
двойного назначения
101. Разработка базовой конструкции и 162 - - 33 99 30 создание технологии ии базовых
технологии крупноформатных --- -- -- -- конструкций полноцветтных
полноцветных газоразрядных 108 22 66 20 газоразрядных видеомоодулей
видеомодулей специального и двойноого
назначения для наборнных экранов
коллективного пользоввания
102. Разработка технологии сверх- 72 - 24 18 30 - разработка расширенноого ряда
прецизионных резисторов и -- -- -- -- сверхпрецизионных реззисторов,
гибридных интегральных схем 48 16 12 20 гибридных интегральныых схем
цифро-аналоговых и аналого- цифро-аналоговых и анналого-
цифровых преобразователей на их цифровых преобразоваттелей с
основе в металлокерамических параметрами, превышаюющими уровень
корпусах для аппаратуры двойного существующих отечестввенных и
назначения зарубежных изделий длля аппаратуры
связи, диагностическоого контроля,
медицинского оборудоввания,
авиастроения, станкосстроения,
измерительной техники
103. Разработка базовой технологии 105 - - - 45 60 разработка расширенноого ряда
особо стабильных и особо точных --- -- -- сверхпрецизионных реззисторов с
резисторов широкого диапазона 70 30 40 повышенной удельной ммощностью
сопротивления, прецизионных рассеяния, высоковолььтных
датчиков тока для измерительной высокоомных резистороов для
и контрольной аппаратуры и измерительной техникии, приборов
|
